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中天弘宇:攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當今數據存儲的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著(zhù)半導體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關(guān)鍵。不過(guò),因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng )新,也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構,但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲器  

半導體設備廠(chǎng)商競爭格局生變?

  •   半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉,排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來(lái),應用材料公司一直是半導體設備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
  • 關(guān)鍵字: ASML  NAND  

突破瓶頸,英特爾重塑數據中心存儲架構

  • 2018年12月11日,以“智數據·創(chuàng )未來(lái)”為主題的2018中國存儲與數據峰會(huì )在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會(huì )匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家,就數據洪流時(shí)代下,企業(yè)如何實(shí)施數據戰略、深挖數據價(jià)值,變數據資源為實(shí)現更廣泛商業(yè)價(jià)值的數據資產(chǎn)等話(huà)題展開(kāi)深入探討。
  • 關(guān)鍵字: 數據  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續下跌

  •   全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨大,接著(zhù)是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠(chǎng)商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫?! ?  DRAM連漲之后持續下跌  在DRAM內存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后,內存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱(chēng)10月份DRAM現貨價(jià)格跌了10%,預計2019年還會(huì )繼續跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內存芯片廠(chǎng)商南亞科
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

真正的汽車(chē)0級EEPROM支持下一代汽車(chē)特性

  • 對于可擦除的、非易失性的存儲,業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進(jìn)行了標準化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過(guò)時(shí)的方案,但它在一些具有特定需求的應用中提供顯著(zhù)的優(yōu)勢,例如當數據的保留被視為安全至上時(shí),EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車(chē)電子等領(lǐng)域。
  • 關(guān)鍵字: EEPROM  Flash  汽車(chē)  1級  201812  

存儲領(lǐng)域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

  •   3D NAND的出現也是因為2D NAND無(wú)法滿(mǎn)足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步,厚度開(kāi)始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進(jìn),NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠(chǎng)商就需要采取額外手段彌補這一問(wèn)題,這必然會(huì )提高成本,以至于在達到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢?!   ?D NAND將思路從提高制造工藝轉
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晉華事件透視:存儲器壟斷暴利之痛如何終結?

  • 壟斷加劇供求失衡,導致價(jià)格上漲,壟斷導致的暴利,是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

存儲器原廠(chǎng)Q3業(yè)績(jì)搶眼,但漲價(jià)優(yōu)勢不再,Q4風(fēng)光難續

  •   前言:2018年Q3出貨旺季,在存儲器Bit出貨量增加帶動(dòng)下,存儲器原廠(chǎng)業(yè)績(jì)搶眼。然而,存儲器漲價(jià)優(yōu)勢不再,Q4財報恐難抵下滑之勢?! 〈鎯ζ髟瓘S(chǎng)Q3財報搶眼,但NAND價(jià)格大跌超60%,引原廠(chǎng)產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”  2018年以來(lái),Flash原廠(chǎng)持續擴大64層3D TLC NAND供貨,且以256Gb和512Gb供貨為主,再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應用,導致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季,NAND Flash價(jià)格也依然表現跌勢。據中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò),2019年閃存價(jià)格恐跌40%

  •   CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示,在64層的3D-NAND良率更為成熟,需求端受到中美貿易戰壓縮的情況下,NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續加劇,各家廠(chǎng)商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(cháng),也因此第三季度閃存平均銷(xiāo)售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%,而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系,第三季成長(cháng)幅度來(lái)到20-25%,整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元,季成長(cháng)約為5%,值得注意的是,也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
  • 關(guān)鍵字: 閃存  3D-NAND  

兆易創(chuàng )新宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

  •   日前,業(yè)界領(lǐng)先的半導體供應商兆易創(chuàng )新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng )新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現全球即時(shí)發(fā)貨,并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶(hù)需求?! ≌滓讋?chuàng )新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb,并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品,以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速,SSD取代HDD硬盤(pán)明年可待

  •   NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價(jià)后,在2018年價(jià)格開(kāi)始大幅下滑,據中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數據,截止到10月底,2018年NAND Flash綜合價(jià)格指數已累積下滑高達63%,其中主流SSD價(jià)格跌幅也高達約50%?! lash原廠(chǎng)3D NAND之戰加劇,使得SSD價(jià)格更加親民,據中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新價(jià)格,消費類(lèi)零售品牌SSD 240GB容量?jì)r(jià)格已下滑至31美金,480GB容量?jì)r(jià)格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)報價(jià)更是分別低至25美金(24
  • 關(guān)鍵字: NAND  HDD  

賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

  •   全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼:CY)日前宣布,與海力士半導體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中,合資公司將生產(chǎn)及銷(xiāo)售賽普拉斯現有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品,并將繼續投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設立在香港,海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?! ≠惼绽箍偛眉媸紫瘓绦泄貶assane El-Khoury表示:“合資公司將會(huì )長(cháng)期為客戶(hù)提
  • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

存儲產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價(jià)格持續上漲

  • 存儲芯片市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)長(cháng)達一年半時(shí)間的猛漲后,部分內存芯片的價(jià)格突然下跌,加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告,導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
  • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  NAND  

國內廠(chǎng)商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓,有望實(shí)現“彎道超車(chē)”

  • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚,我國作為全球最重要的存儲器市場(chǎng),在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭,有望實(shí)現存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車(chē)”,在全球競爭中占有一席之地。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

2018年NAND Flash價(jià)格跌幅超過(guò)50%,背后原因為何!

  •   隨著(zhù)智能型手機、平板、PC等消費類(lèi)電子擴大普及,以及大數據、安防監控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡(luò )、無(wú)人駕駛等熱潮的興起,數據存儲需求與日俱增。據中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數據,預計2018年全球存儲市場(chǎng)規模將達到1500億美元?! ≡?月19日的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(CFMS2018)上,央視記者采訪(fǎng)了存儲產(chǎn)業(yè)鏈內的知名企業(yè),比如:西部數據、長(cháng)江存儲、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng )等,同時(shí)業(yè)內大咖也分享了對存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法?! ⊙胍曍斀?jīng)頻道精彩回顧:原廠(chǎng)3D閃存芯片產(chǎn)出增加存儲容量
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