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存儲產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價(jià)格持續上漲

作者: 時(shí)間:2018-10-30 來(lái)源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏
編者按:存儲芯片市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)長(cháng)達一年半時(shí)間的猛漲后,部分內存芯片的價(jià)格突然下跌,加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報告,導致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。

     有消息顯示,芯片市場(chǎng)目前已開(kāi)始喪失部分動(dòng)能,廣泛應用于智能手機的高端閃存芯片的價(jià)格在2017年第四季度下跌了近5%,閃存價(jià)格由漲轉跌。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201810/393548.htm

  2018年內存芯片價(jià)格持續居高不下,有報告顯示,2018年第三季度和第四季度閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格預計將下降10%,其主要原因是因為市場(chǎng)需求不足,尤其是智能手機旺季卻被滯銷(xiāo),再加上最近英特爾14nm產(chǎn)能不足的消息,導致了PC市場(chǎng)需求雪上加霜。

  三大存儲器的價(jià)格大幅上漲

  2017年,存儲器銷(xiāo)售額為歷年來(lái)最高點(diǎn),超過(guò)1200億美元,占全球半導體市場(chǎng)總值的30.1%。其主要原因,是DRAM和 Flash從2016年下半年起缺貨,從而引發(fā)的漲價(jià)。

  1、DRAM平均售價(jià)同比上漲77%,銷(xiāo)售總值達720億美元,同比增長(cháng)74%。

  2、NAND Flash平均售價(jià)同比上漲38%,銷(xiāo)售總額達498億美元,同比增長(cháng)44%。

  3、NOR Flash銷(xiāo)售總額為43億美元。

  由此看出,三大存儲器的價(jià)格大幅上漲導致全球存儲器總體市場(chǎng)增長(cháng)58%,存儲器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路,成為全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售額占比最高的分支,在產(chǎn)業(yè)中占據極為重要的地位。

  存儲器市場(chǎng)的景氣大幅度攀升

  受惠于全球智能手機出貨量的增長(cháng)以及電子信息設備內存搭載量的不斷攀升,從2016 年下半年起,全球存儲器市場(chǎng):DRAM 和 NAND 閃存等,結束了連續 18 個(gè)月的低迷景象,無(wú)論是存儲器的出貨量還是銷(xiāo)售價(jià)格,都出現了大幅度的提升。據多家市場(chǎng)調研機構調查分析,這一輪存儲器市場(chǎng)的景氣延續至2017年和2018年上半年。

  2016 年全球 DRAM 的銷(xiāo)售規模為454億美元;而Flash的銷(xiāo)售規模為319億美元,其中NAND Flash為312億美元,NOR Flash僅為7億美元左右。全球存儲器的市場(chǎng)規模為773億美元,比2015年減少7.3%。初步統計2017年存儲器市場(chǎng)規模達到853億美元,較2016年增長(cháng)10.3%。到2021年可望擴大至1099億美元,2016~2021年年均增長(cháng)率將達7.3%。

  與此同時(shí),存儲器的制造技術(shù)也顯著(zhù)提升,全球三大 DRAM 廠(chǎng)商的制程技術(shù)從2X nm推進(jìn)到1X nm,3D NAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來(lái)越顯示出它們的應用前景。

  存儲器產(chǎn)能有限,量?jì)r(jià)齊增

  目前,三星、SK 海力士?jì)纱箜n系廠(chǎng)商在擴產(chǎn)腳步上是猛踩油門(mén),包括三星在韓國平澤的P1廠(chǎng)房和Line 15生產(chǎn)線(xiàn),以及SK海力士的M14生產(chǎn)線(xiàn),與此同時(shí),美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產(chǎn)計劃,但產(chǎn)能的增加仍主要依靠?jì)纱箜n系廠(chǎng)商。

  根據三家公司目前最新的建廠(chǎng)規模,2017年全球每季度芯片產(chǎn)能為1100K左右。到2018年,預計三星和SK海力士將會(huì )有接近20%左右的產(chǎn)能提升,美光的產(chǎn)能增量為10%,預計全球每季度芯片產(chǎn)能為1200K左右。

  隨著(zhù)工藝尺寸越來(lái)越小,DRAM良率無(wú)法得到有效控制,導致DRAM產(chǎn)能增速的放緩,與此同時(shí),EUV光刻設備年產(chǎn)能極其有限,這些問(wèn)題使得DRAM工藝節點(diǎn)突破困難重重,各廠(chǎng)商工藝進(jìn)度計劃也被迫一再推遲。再加上賣(mài)方主導DRAM市場(chǎng)和新型非易失性存儲器技術(shù)的出現,進(jìn)一步造成了全球范圍內DRAM龍頭企業(yè)技術(shù)升級和擴產(chǎn)意愿下降。

  總的來(lái)說(shuō),DRAM擴產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國際大廠(chǎng)的壟斷,2018-2020年全球bit growth將繼續徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應用的市場(chǎng)需求將持續溫和上升,特別是終端品牌繼續向國產(chǎn)品牌集中,造成國產(chǎn)手機對于DRAM產(chǎn)品的需求出現區域性的增加,同時(shí)5G、云計算、IDC等將拉動(dòng)服務(wù)器應用大幅增長(cháng),隨著(zhù)5G商用的節點(diǎn)越來(lái)越近,將帶動(dòng)內存市場(chǎng)需求的加速提升。



關(guān)鍵詞: 摩爾定律 NAND

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