在仿真功率MOS管時(shí)引發(fā)的思考

　　在實(shí)際產(chǎn)品中經(jīng)常用功率MOS管來(lái)做電源的開(kāi)關(guān)，用來(lái)關(guān)閉電路的某一部分，從而減少能量的消耗。

　　電路如下：

　　在這里EN的電壓為5V或是0V,在沒(méi)有看仿真結果以前我想當然的認為，結果應該是EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 5V;

　　可是仿真結果讓我大吃一驚奇，結果是：

　　EN = 0V ,Vout = 5V;EN = 5V,Vout = 4.96V;

　　這樣的結果讓我百思不得其解，而且這樣的電路在產(chǎn)品中應用了很多，一個(gè)問(wèn)題也沒(méi)有，理論上也沒(méi)有問(wèn)題，可是為什么仿真的結果會(huì )是這個(gè)樣子。想了好幾天，也和朋友討論了很多次，可是還是沒(méi)有得到正確的答案。直到我想到了一個(gè)問(wèn)題，然后在電路后面加了一個(gè)5 Ohm的負載。加了負載后的結果是。

　　EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 4.96V;

　　和理論相符合。

　　為什么加了一個(gè)5 Ohm的電阻后會(huì )有這樣的變化呢?請看下圖我從IRF7404規格書(shū)中截取的一小部分。

　　對，是漏電流搞的鬼，雖然漏電流很小，但電壓表的阻抗很大，結果就讓在沒(méi)帶負載的情況下讓電壓顯示為5V.

　　因此實(shí)際仿真中,需要接上一個(gè)電阻測電壓,不能直接將地和引腳相連測電壓.