低電壓、低功耗模擬電路設計方案

　　隨著(zhù)亞微米、深亞微米技術(shù)和系統芯片（SOC）技術(shù)的日益成熟，功耗已經(jīng)成為模擬電路設計中首要考慮的問(wèn)題，低電壓低功耗集成電路設計漸漸成為主流。因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS，所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。

　　由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準，于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案。襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下。由于襯底電壓影響與反型層（即導電溝道）相連的耗盡層厚度，通過(guò)MOS晶體管的體效應改變襯底電壓就能調制漏極電流。

　　應用襯底驅動(dòng)技術(shù)建立一些基本的模擬電路標準模塊，通過(guò)舉例來(lái)說(shuō)明襯底驅動(dòng)技術(shù)在模擬電路設計中的使用。

　　1 簡(jiǎn)單和增強型襯底驅動(dòng)電流鏡

　　簡(jiǎn)單的襯底驅動(dòng)電流鏡結構即本文提出的低電壓電流鏡如圖1（b）所示，這種電流鏡用襯底-漏極連接代替傳統簡(jiǎn)單電流鏡結構里的柵極-漏極連接。當然，M3和M4通過(guò)襯底連接而不是柵極，而N型MOS管M3和M4的柵極應施加一個(gè)合適的正向偏置電壓。

　　這種簡(jiǎn)單襯底驅動(dòng)電流鏡的缺陷是輸入輸出電流呈非線(xiàn)性，這是由于在柵極驅動(dòng)電流鏡中輸出晶體管M4工作在飽和狀態(tài)。為了解決這個(gè)問(wèn)題，使用了一種替代配置，如圖1（c）。晶體管M7被作為一個(gè)二極管，連接在M5和M6這兩個(gè)晶體管的柵極和襯底之間。M7被當做簡(jiǎn)單的電壓源使用，當輸入電流Iin為零時(shí)晶體管M6工作在飽和狀態(tài)而M5則不會(huì )。一旦輸入電流開(kāi)始增大時(shí)，增強型襯底驅動(dòng)電流鏡中晶體管M5就會(huì )比簡(jiǎn)單襯底驅動(dòng)電流鏡中的M3早進(jìn)入飽和狀態(tài)，因此具有更好的線(xiàn)性度。由于這樣連接可以同時(shí)驅動(dòng)柵極和襯底端，流過(guò)M7的偏置電流Ibias被計入輸入Iin.為了避免在輸入電流和輸出電流之間產(chǎn)生額外的偏移，偏置電流Ibias必須遠遠小于輸入電流Iin.圖2是圖1中電流鏡模型的仿真結果，它表明襯底驅動(dòng)增強型電流鏡的輸入輸出傳輸特性比簡(jiǎn)單的襯底驅動(dòng)電流鏡具有更好的線(xiàn)性度，其線(xiàn)性度幾乎和柵極驅動(dòng)電流鏡一樣。從圖2中同樣可以看出簡(jiǎn)單的襯底驅動(dòng)電流鏡和增強型電流鏡的輸入電壓遠低于傳統的柵極驅動(dòng)電流鏡。

　　2 襯底驅動(dòng)跨導運算放大器

　　基于襯底驅動(dòng)技術(shù)的跨導運算放大器的結構如圖3所示，由兩級構成，第一極由襯底驅動(dòng)差分級構成，此差分級以PMOS設備M1、M2作為輸入，電流鏡M3、M4作為主動(dòng)負載；第二極是一個(gè)簡(jiǎn)單的CMOS到相級，它以M6作為驅動(dòng)管M7作為主動(dòng)負載。依靠補償電容CC和電阻Rc差分級的輸出端和輸入端連接在一起，在第二級中補償電容實(shí)際作為密勒電容使用。

　　通過(guò)提供足夠的柵源電壓值使場(chǎng)效應管導通，襯底驅動(dòng)MOS晶體管即以耗盡型器件的原理工作，通過(guò)施加在襯底端的輸入電壓調制流經(jīng)晶體管的電流，完成采用襯底驅動(dòng)輸入晶體管的跨導運算放大器設計，電路結構如圖3所示，仿真結果如表1所示。

　　3 襯底驅動(dòng)電流差分跨導放大器

　　電流差分跨導放大器是一種新型主動(dòng)型器件，是基于襯底驅動(dòng)的電流差分跨導放大器。如圖4所示，它適合設計大規模集成電路模塊。由兩個(gè)圖5所示襯底驅動(dòng)電流傳輸器和一個(gè)圖3所示襯底驅動(dòng)跨導運算放大器（雙輸出DO-跨導運算放大器）構成實(shí)現。電流傳輸器連接作為電流差分單元，電流流入上面電流傳輸器的Z+端，電流Ip流入下面電流傳輸器的Z-端但與Z+端電流方向相反。這就解釋了電流差分跨導放大器流進(jìn)Z端的電流是由差分電流Ip和In提供的。電路及其仿真結果如圖4和表2所示。

　　4 結束語(yǔ)

　　經(jīng)過(guò)仿真分析，得出襯底驅動(dòng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)是：電路的功率消耗比較低；設計簡(jiǎn)單和可接受的電路特性；能夠避開(kāi)閾值電壓要求的耗盡特性；傳統的前端門(mén)可用于調制襯底驅動(dòng)MOS晶體管。襯底驅動(dòng)晶體管的缺點(diǎn)是：（1）其跨導遠小于傳統的柵極驅動(dòng)MOS管，這可能會(huì )導致跨導運算放大器的增益帶寬乘積偏低；（2）其電極與工藝相關(guān)，一個(gè)CMOS工藝的P（N）阱，只有N（P）的溝道的襯底驅動(dòng)MOS管是有效的，這可能限制了其應用。