EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
lab-in-fab
lab-in-fab 文章 進(jìn)入lab-in-fab技術(shù)社區
總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)新進(jìn)展
- 據臨港新片區管委會(huì )官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目城鎮污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會(huì )合作規劃建設。根據協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)項目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節點(diǎn)的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。據中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個(gè)按照Twin Fa
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 12英寸晶圓 代工廠(chǎng) Twin Fab
X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專(zhuān)用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過(guò)程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著(zhù)增強信號，而且不會(huì )對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產(chǎn)生負面影響。X-FAB通過(guò)推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
- 關(guān)鍵字： X-FAB 近紅外 SPAD
X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現又在此平臺上實(shí)現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動(dòng)力系統、工廠(chǎng)自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點(diǎn)，非常適合制造車(chē)用傳感器和高壓工
- 關(guān)鍵字： X-FAB 電隔離解決方案
X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規則的能力
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng )新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶(hù)能夠在其器
- 關(guān)鍵字： X-FAB 無(wú)源器件 晶圓代工廠(chǎng)
芯科科技波士頓辦公室設立全新的Connectivity Lab生態(tài)系統和開(kāi)發(fā)人員齊聚同慶
- 為物聯(lián)網(wǎng)設備制造商模擬真實(shí)世界的操作性和連接性測試?中國，北京 - 2023年6月27日 - 致力于以安全、智能無(wú)線(xiàn)連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布，芯科科技波士頓辦公室開(kāi)設全新的Connectivity Lab（”連接實(shí)驗室”）?！边B接實(shí)驗室”模擬現代智能家居場(chǎng)景，其中包含一系列的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設備、應用軟件、生態(tài)系統和網(wǎng)絡(luò )，為開(kāi)發(fā)人員提供一個(gè)理想的環(huán)境，從而支持他們在包含各種協(xié)議和設備品牌的真實(shí)場(chǎng)景中測試其M
- 關(guān)鍵字： 芯科科技 Connectivity Lab
X-FAB領(lǐng)導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化
- 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開(kāi)展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機構在光電子領(lǐng)域的創(chuàng )新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過(guò)程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠(chǎng)商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰略倡議，旨在推
- 關(guān)鍵字： X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng)，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長(cháng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
- 關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)
- 近期，一眾國內廠(chǎng)商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠(chǎng)TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠(chǎng)結束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠(chǎng)X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 瑞薩 X-FAB
X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng )新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進(jìn)一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(cháng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場(chǎng)的客戶(hù)群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng )建的130納米平臺顯著(zhù)加強了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨特的解決方案，達到滿(mǎn)足下一代通信要求所需的更高
- 關(guān)鍵字： X-FAB 萊布尼茨IHP
是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴張？
- 近年來(lái)，受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價(jià)格呈現出較大的波動(dòng)態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構的分析師都預測了半導體產(chǎn)能的短缺將持續整個(gè)2022年，甚至更長(cháng)。根據WSTS的數據分析，2022年全球存儲器件市場(chǎng)的規模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長(cháng)將會(huì )達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
- 關(guān)鍵字： 嵌入式存儲 X-FAB NVM
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權，正式更名為Nexperia Newport
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實(shí)現宏偉的增長(cháng)目標和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過(guò)此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠(chǎng)的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態(tài)系統中占據重要地位，引領(lǐng)新港地區和該區域其他工廠(chǎng)的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶(hù)，并于2019年通過(guò)投資Neptune 6 Limite
- 關(guān)鍵字： Nexperia Fab
GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠(chǎng)找買(mǎi)家
- GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來(lái)，大刀闊斧進(jìn)行改革，宣布退出全球高端技術(shù)的開(kāi)發(fā)，又將新加坡 8 寸廠(chǎng) Fab 3E 賣(mài)給臺積電旗下的世界先進(jìn)后，業(yè)界再度點(diǎn)名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠(chǎng)尋找買(mǎi)家。據傳美系 IDM 大廠(chǎng)有興趣，看來(lái)新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries Fab IBM
SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著(zhù)提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現已變得更具性?xún)r(jià)比。此外，隨著(zhù)市場(chǎng)的增長(cháng)，由于規模經(jīng)濟的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來(lái)越具有吸引力?！ 」β拾雽w(如二極管和MOSFET)可以通過(guò)幾種機制顯著(zhù)節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現短得多的反向恢復時(shí)間，從而實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。就其本身
- 關(guān)鍵字： X-FAB SiC
lab-in-fab介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lab-in-fab!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lab-in-fab的理解，并與今后在此搜索lab-in-fab的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lab-in-fab的理解，并與今后在此搜索lab-in-fab的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
lab-in-fab電路
lab-in-fab相關(guān)帖子
lab-in-fab資料下載
lab-in-fab專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473