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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué)，適用于當今前沿的混合信號設計西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
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打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

受訪(fǎng)人：亞德諾半導體　　大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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TrendForce：預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌，且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
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無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場(chǎng)競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng )新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統化估值，提升企業(yè)的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機構推薦
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不畏亂流半導體市場(chǎng)逆風(fēng)揚

隨著(zhù)全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰爭懸而未決，經(jīng)濟逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟成長(cháng)將造成挑戰，但包括Gartner及IC Insights等市調機構仍預估，今年全球半導體市場(chǎng)仍會(huì )較去年成長(cháng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導體總銷(xiāo)售額仍可年增11％，與今年初預測相同，但外在變化造成的不確定性，導致芯片銷(xiāo)售成長(cháng)幅度或有消長(cháng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷(xiāo)售將高于先前預期，包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長(cháng)強勁，功率組件價(jià)格續漲且成長(cháng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長(cháng)15% 離散組件將回復正常水平

IC Insights日前發(fā)布報告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷(xiāo)售額，均出現創(chuàng )紀錄的成長(cháng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統因素，沒(méi)有相對應的結果。根據IC Insights一月半導體產(chǎn)業(yè)報告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷(xiāo)售額成長(cháng)不到3 %。報告顯示，OSD總銷(xiāo)售額占2021年全球6139億美元半導體市場(chǎng)
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IC PARK 年度盛事圓滿(mǎn)收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng )“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線(xiàn)上云會(huì )議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規劃開(kāi)局之年，本次會(huì )議在北京市委書(shū)記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來(lái)自國內外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng )“芯”機、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應對挑戰，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。北京市委常委、副市長(cháng)殷勇，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )設計分會(huì )理事長(cháng)魏少軍，創(chuàng )“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設計超收斂

經(jīng)晶圓廠(chǎng)認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車(chē)、醫療和5G芯片設計中的過(guò)度設計和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過(guò)驗證的技術(shù)統一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環(huán)境整合
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多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知

　　原標題：多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知強調不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場(chǎng)幾度傳出臺積電即將全線(xiàn)漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效?！　Υ?，據中央社報道，多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)收到臺積電漲價(jià)通知，并表示不會(huì )因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%?！　〈送?，臺積電罕見(jiàn)未給客戶(hù)緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應鏈也緊急尋求因應
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媒體稱(chēng)明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺積電：不評論

　　財聯(lián)社6月24日訊，據媒體報道，IC設計業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價(jià)格問(wèn)題。
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證

空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電
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中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長(cháng)新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長(cháng)25%

據WSTS統計，21Q1全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長(cháng)3.6%，較2020年同期(20Q1)成長(cháng)17.8%；銷(xiāo)售量達2,748億顆，較上季成長(cháng)4.9%，較去年同期成長(cháng)22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區域市場(chǎng)方面，中國大陸市場(chǎng)銷(xiāo)售值成長(cháng)幅度最高，較上季(20Q4)成長(cháng)8.9%，達到434億美元，較去年同期(20Q1)成長(cháng)25.6%；歐洲市場(chǎng)次之，較上季(20Q4)成長(cháng)8.8%，達到110億美元，較去年同期成長(cháng)8.7%；
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