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ic china 2024
ic china 2024 文章 進(jìn)入ic china 2024技術(shù)社區
西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺,大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

- · 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證,助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué),適用于當今前沿的混合信號設計 西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出 Symphony? Pro 平臺,基于原有的 Symphony 混合信號驗證能力,進(jìn)一步擴展功能,以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué),使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
- 關(guān)鍵字: 西門(mén)子 混合信號 IC 驗證
打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

- 受訪(fǎng)人:亞德諾半導體 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng),因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái),以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān),從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
- 關(guān)鍵字: 202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
TrendForce:預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

- IT之家 7 月 15 日消息,TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示,在供需失衡、庫存高漲的狀況下,預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等,且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示,中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能,更愿意配合面板廠(chǎng)的要求,價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出,在需求短期間難以好轉下,面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌,且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外,TrendFor
- 關(guān)鍵字: IC TrendForce 市場(chǎng)
無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

- 可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因為它可以提高系統可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位(VPOR)的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號,而在該最低電源電壓到來(lái)之前,復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō),我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構,即開(kāi)漏和推挽(圖1),兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓(VPULLUP)
- 關(guān)鍵字: ADI IC
imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案 推動(dòng)2D/3D IC升級

- 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )(VLSI Symposium),首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)結構,將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌(buried power rail)上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)透過(guò)這些埋入式電源軌(BPR)實(shí)現互連,性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔(nTSV)與埋入式電源軌(BPR)連接至晶圓背面,與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關(guān)鍵字: imec 晶背供電 邏輯IC 布線(xiàn) 3D IC
2021-2022年度(第五屆)中國 IC 獨角獸榜單出爐
- 集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè),是世界主要國家和地區搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場(chǎng)競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展,進(jìn)一步總結企業(yè)發(fā)展的成功模式,挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng )新企業(yè),對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統化估值,提升企業(yè)的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎上,由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022(第五屆)中國IC獨角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月,收到企業(yè)自薦及機構推薦
- 關(guān)鍵字: IC 獨角獸
不畏亂流 半導體市場(chǎng)逆風(fēng)揚
- 隨著(zhù)全球通膨疑慮升高及能源成本飆升,加上大陸因疫情實(shí)施封控,以及俄烏戰爭懸而未決,經(jīng)濟逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟成長(cháng)將造成挑戰,但包括Gartner及IC Insights等市調機構仍預估,今年全球半導體市場(chǎng)仍會(huì )較去年成長(cháng)一成以上。IC Insights表示,今年全球半導體總銷(xiāo)售額仍可年增11%,與今年初預測相同,但外在變化造成的不確定性,導致芯片銷(xiāo)售成長(cháng)幅度或有消長(cháng)。其中,微處理器及功率分離式組件銷(xiāo)售將高于先前預期,包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長(cháng)強勁,功率組件價(jià)格續漲且成長(cháng)幅度增加,至于CMOS影像傳感器
- 關(guān)鍵字: Gartner IC Insights 半導體市場(chǎng)
2022年傳感器和致動(dòng)器成長(cháng)15% 離散組件將回復正常水平

- IC Insights日前發(fā)布報告指出,由于COVID-19造成的隔離和短缺因素,使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器,以及離散組件 (O-S-D)的銷(xiāo)售額,均出現創(chuàng )紀錄的成長(cháng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統因素,沒(méi)有相對應的結果。 根據IC Insights一月半導體產(chǎn)業(yè)報告,2021年OSD總收入首次突破1000億美元,與2020年的883億美元相比,增加18%至1042億美元,當時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷(xiāo)售額成長(cháng)不到3 %。報告顯示,OSD總銷(xiāo)售額占2021年全球6139億美元半導體市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: ?IC Insights 傳感器 致動(dòng)器 離散組件
IC PARK 年度盛事圓滿(mǎn)收官!業(yè)界翹楚云端論劍,引爆中國“芯”思潮

- 12月10日,第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng )“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線(xiàn)上云會(huì )議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規劃開(kāi)局之年,本次會(huì )議在北京市委書(shū)記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下,高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,邀請了來(lái)自國內外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂,圍繞創(chuàng )“芯”機、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流,探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應對挑戰,共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。 北京市委常委、副市長(cháng)殷勇,中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )設計分會(huì )理事長(cháng)魏少軍,創(chuàng )“芯”大賽
- 關(guān)鍵字: IC PARK 芯動(dòng)北京
新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設計超收斂
- 經(jīng)晶圓廠(chǎng)認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車(chē)、醫療和5G芯片設計中的過(guò)度設計和昂貴的后期ECO(工程變更指令) 要點(diǎn): ? 經(jīng)過(guò)驗證的技術(shù)統一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環(huán)境整合
- 關(guān)鍵字: 可靠性分析 IC
多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí):收到臺積電漲價(jià)通知
- 原標題:多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí):收到臺積電漲價(jià)通知 強調不影響合作關(guān)系 8月25日,市場(chǎng)幾度傳出臺積電即將全線(xiàn)漲價(jià),從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達10%,到全面漲價(jià)20%,并從即日起生效?! Υ?,據中央社報道,多家IC設計廠(chǎng)商證實(shí)收到臺積電漲價(jià)通知,并表示不會(huì )因而影響與臺積電的合作關(guān)系?! C設計業(yè)者指出,臺積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%,其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%?! 〈送?,臺積電罕見(jiàn)未給客戶(hù)緩沖期,今天通知漲價(jià)隨即于今天生效,供應鏈也緊急尋求因應
- 關(guān)鍵字: IC 臺積電 漲價(jià)
媒體稱(chēng)明年晶圓代工價(jià)漲定了,臺積電:不評論
- 財聯(lián)社6月24日訊,據媒體報道,IC設計業(yè)者透露,明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定,不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續漲,晶圓代工龍頭臺積電也漲價(jià),部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成,且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示,不評論價(jià)格問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: IC 晶圓廠(chǎng) 臺積電
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證

- 空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響,因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件,包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電
- 關(guān)鍵字: MOSFET LET IC MCU
中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長(cháng)新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長(cháng)25%
- 據WSTS統計,21Q1全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售值1,231億美元,較上季(20Q4)成長(cháng)3.6%,較2020年同期(20Q1)成長(cháng)17.8%;銷(xiāo)售量達2,748億顆,較上季成長(cháng)4.9%,較去年同期成長(cháng)22.7%;ASP為0.448美元,較上季衰退1.2%,較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區域市場(chǎng)方面,中國大陸市場(chǎng)銷(xiāo)售值成長(cháng)幅度最高,較上季(20Q4)成長(cháng)8.9%,達到434億美元,較去年同期(20Q1)成長(cháng)25.6%;歐洲市場(chǎng)次之,較上季(20Q4)成長(cháng)8.8%,達到110億美元,較去年同期成長(cháng)8.7%;
- 關(guān)鍵字: IC
砥礪前行,推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室,圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈,培養工程專(zhuān)業(yè)人才,搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺,建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制,致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然,在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字: 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
ic china 2024介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對ic china 2024的理解,并與今后在此搜索ic china 2024的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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