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用于CMOS圖像傳感器的流水線(xiàn)ADC設計及其成像驗證

  • 摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數字化也是它的一個(gè)重要的研究和設計方向，設計了...
  • 關(guān)鍵字： 流水線(xiàn)ADC  CMOS  圖像傳感器  Labview  

基于單片機CMOS汽車(chē)電子調節器

  • 基于單片機CMOS汽車(chē)電子調節器引言汽車(chē)電子化程度現已成為國際衡量汽車(chē)先進(jìn)水平的重要標準，也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當前汽車(chē)電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國都競相發(fā)展，不斷應用高新技術(shù)，提高汽車(chē)電氣化性能
  • 關(guān)鍵字： CMOS  單片機  汽車(chē)電子  調節器    

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計（二）

  • 3 仿真分析及具體設計結果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結構的設計中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結構。其原理如下：主要利用結構中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
  • 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結構設計

  • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務(wù)之一，其ESD結構與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著(zhù)IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
  • 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD  CMOS  亞微米  電路    

用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線(xiàn)ADC設計及其成像驗證

  • 摘要：在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數字化也是它的一個(gè)重要的研究和設計方向，設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線(xiàn)型ADC，并基于0．5mu;m標準CMOS工藝進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： ADC  設計  及其  驗證  流水線(xiàn)  傳感器  噪聲  CMOS  圖像  用于  

數碼相機的CMOS傳感器知識介紹

  • 標簽：數碼相機 CMOS數碼相機的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著(zhù)2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專(zhuān)業(yè)級數碼相機后，人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因為，CMOS影像傳感器過(guò)去有著(zhù)信噪比小、分辨率
  • 關(guān)鍵字： 介紹  知識  傳感器  CMOS  數碼相機  

CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標

  • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類(lèi)別，都有各自的應用領(lǐng)域。但近年來(lái)，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標有哪些？下面來(lái)為大家詳細說(shuō)明。CCD和CMOS圖
  • 關(guān)鍵字： 性能  技術(shù)指標  傳感器  圖像  CMOS  CCD  

淺析CMOS與CCD在內部結構與原理的差異

  • 標簽：CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結構和工作原理又有著(zhù)較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎上發(fā)展起來(lái)的，其基本結構是MOS(金屬m
  • 關(guān)鍵字： 原理  差異  結構  內部  CMOS  CCD  淺析  

基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設計

  • 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結果表明，鋸齒波
  • 關(guān)鍵字： CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設計

  • O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉換引起的邏輯門(mén)對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門(mén)中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì )導致漏電流
  • 關(guān)鍵字： CMOS  單相  乘法器  能量回收  

CMOS數字隔離器在智能電表中的應用

  • 未來(lái)幾年由于消費者對傳統機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預計將以每年兩位數的速度增長(cháng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復雜，但更加注重測量數據的完
  • 關(guān)鍵字： CMOS  數字隔離器  智能電表  中的應用    

基于CMOS電路的IDDQ測試電路設計

  • 引言　　測試CMOS電路的方法有很多種，測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應測試，即通常所說(shuō)的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤，但不能檢查出晶體管常開(kāi)故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路
  • 關(guān)鍵字： CMOS  IDDQ  電路  測試    

小型CMOS電壓調整器IC- XC6420

  • XC6420系列是實(shí)現了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調整器IC。把2個(gè)...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電壓  調整器IC  

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數轉換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結構及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數
  • 關(guān)鍵字： CMOS  5510  TLC  工藝    

CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現光電轉換后，以電荷的方
  • 關(guān)鍵字： 對比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  
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