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IMEC探討10nm以下制程變異

  •   在可預見(jiàn)的未來(lái),CMOS技術(shù)仍將持續微縮腳步,然而,當我們邁入10nm節點(diǎn)后,控制制程復雜性和變異,將成為能否驅動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵,IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系統將會(huì )需要更多的運算能力和儲存容量,這些都遠遠超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。   在演講中,Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后,或許還
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基于DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: PLL  DSP  CMOS  環(huán)形振蕩器  

3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設計

  • 超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術(shù)具有抗干擾能力強、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸低等優(yōu)勢,近年來(lái)已成為國內外的研究熱點(diǎn),并在短距離傳輸、高速無(wú)線(xiàn)LAN和成像處理等領(lǐng)域得到了廣泛應用[1]。不論在傳統的無(wú)線(xiàn)接收結
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詳解背照式CMOS傳感器結構和原理

  • 背照式CMOS傳感器詳細解讀時(shí)代發(fā)展,技術(shù)進(jìn)步。數碼相機的各種新技術(shù)層出不窮,導致消費者面對廠(chǎng)家宣傳或者是相機參數列表中的一些專(zhuān)業(yè)詞匯,一般都會(huì )感到非常難于理解,以致影響到購機前的判斷。所以我們數碼相機頻
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采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

  • D觸發(fā)器的常規使用一般是用作二分頻器、計數器或移位寄存器。然而,只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn),根據其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別
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基于CMOS工藝的新型集成運算放大器設計

  • 集成電路,即integrated circuit,這是一種微型電子器件或部件,按功能可劃分為數字和模擬兩大類(lèi)。而模擬集成電路一般用于模擬信號的產(chǎn)生和處理,有很多種種類(lèi),比如集成運算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
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ARM 9平臺下的CMOS圖像傳感器數據采集系統

  • ARM 9平臺下的CMOS圖像傳感器數據采集系統,引言隨著(zhù)CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術(shù)的發(fā)展及市場(chǎng)需求的增加,CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了CMOS技術(shù),可以將像素陣列與外圍支持電路(如圖像傳感器核心、單一時(shí)鐘、所有的時(shí)序邏輯、可編程功能和A/D轉
  • 關(guān)鍵字: 數據采集  系統  傳感器  圖像  平臺  CMOS  ARM  

ARM9平臺下的CMOS圖像傳感器數據采集系統

  • 引言隨著(zhù)CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術(shù)的發(fā)展及市場(chǎng)需求的增加,CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了C ...
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基于CMOS工藝的RF集成電路設計

  • 近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝在射頻(RF)技術(shù)中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標準的CMOS工藝開(kāi)發(fā)出高性能的下
  • 關(guān)鍵字: 集成  電路設計  RF  工藝  CMOS  基于  

Rfaxis手持設備CMOS Wi-Fi射頻前端設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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一種應用于A(yíng)RM7的CMOS圖像采集系統

  • Samsung公司的S3C4510B是基于以太網(wǎng)系統高性?xún)r(jià)比的16/32位RISC微控制器,內含一個(gè)由ARM公司設計的16/32位 ARM7TDMI RISC處理器核,ARM7TDMI為低功耗、高性能的16/32核,它具有0.9MIPS/MHz的三級流水線(xiàn)結構,支持32位
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CMOS互補(推挽)放大器

  • 互補(推挽)放大器就是一個(gè)inverter 。數字電路中的工作區域是穩態(tài)區,總有一個(gè)管子處于截止狀態(tài)。模擬電路中的工作區域是處于兩種穩態(tài)之間的過(guò)渡區,兩個(gè)MOS管都處于飽和態(tài)。設通過(guò)兩個(gè)MOS管的直流電流相等,Id1=I
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CMOS隔離器: 醫療電子系統的安全保障

  • CMOS隔離器: 醫療電子系統的安全保障,交流供電的醫療電子系統安全標準要求電流隔離,以保護病人和操作員免于觸電危險。由于導體直接連接儀器和病人,其上面附著(zhù)的液體和凝膠更增加了觸電風(fēng)險;因此用于這些系統的隔離器必須耐用和可靠。光耦合器和變壓器
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建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區報警的方法

  • 說(shuō)明  這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區防盜報警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設計是與常閉類(lèi)型的輸入設備的正常使用,例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開(kāi)關(guān) - 鋁箔膠帶 - 和PIRs。但它可以很容易地修
  • 關(guān)鍵字: 報警  方法  防區  CMOS  一個(gè)  簡(jiǎn)單  建立  

構建基于一個(gè)CMOS單防區報警器的方法

  •   該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計時(shí)鐘切斷 - 和系統重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿(mǎn)足通常的輸入設備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)?! ∪绻G色指示燈不亮 - 一個(gè)開(kāi)放的窗口或門(mén)等檢查一
  • 關(guān)鍵字: 報警器  方法  防區  CMOS  基于  一個(gè)  構建  
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