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hdr-cmos 文章 進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區
AMD明年啟用28nm CMOS工藝
- AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化,將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經(jīng)采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝,海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段,在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn),在2013年第一季度正式發(fā)布。 在評論異構系統架構(HSA)聯(lián)盟,是否用來(lái)應對英特爾和NVIDI
- 關(guān)鍵字: ARM CMOS
聯(lián)電與星國微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進(jìn)行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā),透過(guò)這項技術(shù),包括智慧手機、數位相機與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品,里面所采用的數百萬(wàn)像素影像感測器,都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出,市場(chǎng)上對于持續縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動(dòng)CMOS影像感測技術(shù)興起,而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出,這次專(zhuān)案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 CMOS 微電子
hdr-cmos介紹
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