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CMOS圖像傳感器再見(jiàn)增長(cháng)

  • 10年以前拍照手機盛行,加上便攜筆記本電腦和個(gè)人電腦監視器配置嵌入式數碼相機,促使CMOS圖像傳感器銷(xiāo)售獲得巨大增長(cháng),2006年登頂,達45億美元。但隨后產(chǎn)品市場(chǎng)走向成熟,制造商激增,圖像傳感器特別是用于拍照手機的產(chǎn)品供過(guò)于求而陷入困境,增速不穩,起伏不定,直至2011年才重新走上增長(cháng)的道路。
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  201207  

CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

  • 互補型金屬氧化物半導體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應用的首選。數字成像隨著(zhù)1969年電荷耦合器件...
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CMOS數字隔離器為智能電表中的應用

  • 未來(lái)幾年由于消費者對傳統機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場(chǎng)預計將以每年兩位數的速度增長(cháng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復雜,但更加注重測量數據的完
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CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

  • 1、引言小型會(huì )議系統或語(yǔ)音群聊系統是由多路音頻電路組成的.為了使通話(huà)井然有序,需要通過(guò)音頻交換電路來(lái)控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語(yǔ)音信號的切換。以實(shí)現同頻終端的話(huà)音通信。經(jīng)對可靠性、經(jīng)
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基于CMOS多功能數字芯片的ESD保護電路設計

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真,基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設計,并在一款多功能故
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CCD傳感器與CMOS傳感器區別在哪里

  • CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電,不像由二極管組成的CCD,CMOS 電路幾乎沒(méi)有靜態(tài)電量消耗,只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右,這有助于改善人們心目中數碼相機是ld
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CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案,因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒(méi)用,因此大量應用的所有攝像機都是用了
  • 關(guān)鍵字: CMOS  攝像機  什么  

CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案,因為CMOS傳感器在10
  • 關(guān)鍵字: /SDDS  傳感器  CMOS  什么  

一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設計

  • 摘要:設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結構,利用增益提高和三支路電流基準技術(shù)實(shí)現一個(gè)可用于12~14bit精度,100MS/s采樣頻率的高速流
  • 關(guān)鍵字: CMOS  增益提高  運算  放大器設計    

利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場(chǎng)已成為半導體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說(shuō)法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向 ...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  功率放大器  單芯片手機  

AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  •   AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化,將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經(jīng)采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝,海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段,在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn),在2013年第一季度正式發(fā)布。   在評論異構系統架構(HSA)聯(lián)盟,是否用來(lái)應對英特爾和NVIDI
  • 關(guān)鍵字: ARM  CMOS  

CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要:由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線(xiàn)路設計中如何抗靜電,以保護CMOS
  • 關(guān)鍵字: 研究  措施  抗靜電  器件  CMOS  

CMOS工藝多功能數字芯片的輸出緩沖電路設計

  • 摘要:為了提高數字集成電路芯片的驅動(dòng)能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理
  • 關(guān)鍵字: 輸出  緩沖  電路設計  芯片  數字  工藝  多功能  CMOS  

一種新型高速CMOS全差分運算放大器設計

  • 摘要:設計了一種基于流水線(xiàn)模/數轉換系統應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續時(shí)間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩定性。設計基于SMIC 0.25mu;m CM
  • 關(guān)鍵字: CMOS  全差分  放大器設計  運算    

聯(lián)電與星國微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)

  •   聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進(jìn)行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā),透過(guò)這項技術(shù),包括智慧手機、數位相機與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品,里面所采用的數百萬(wàn)像素影像感測器,都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。   聯(lián)電指出,市場(chǎng)上對于持續縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動(dòng)CMOS影像感測技術(shù)興起,而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。   聯(lián)電指出,這次專(zhuān)案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)華  CMOS  微電子  
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