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以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結的 3D芯片堆棧，效果會(huì )比銅來(lái)得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì )導致熱膨脹(thermal expansion)的問(wèn)題，因為銅遇熱會(huì )比周?chē)墓璨牧吓蛎浉唷? 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
- 關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS
Crocus與中芯國際簽署技術(shù)開(kāi)發(fā)和晶圓制造協(xié)議
- Crocus科技，領(lǐng)先的強化磁性半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開(kāi)發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據協(xié)議，兩家公司將共同開(kāi)發(fā)針對汽車(chē)應用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國際將制造和供應基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設備上做進(jìn)一步加工。
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 半導體 CMOS
場(chǎng)效應管和CMOS集成電路焊接技巧
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 場(chǎng)效應管 集成電路 焊接
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