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是誰(shuí)在拉動(dòng)嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴張?

  • 近年來(lái),受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響,存儲器件的價(jià)格呈現出較大的波動(dòng)態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構的分析師都預測了半導體產(chǎn)能的短缺將持續整個(gè)2022年,甚至更長(cháng)。根據WSTS的數據分析,2022年全球存儲器件市場(chǎng)的規模將達到1716.82億美元,較之前預估的2022年增加135.21億美元,同比增長(cháng)將會(huì )達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預測(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權,正式更名為Nexperia Newport

  • 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此舉可助力公司實(shí)現宏偉的增長(cháng)目標和投資,進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過(guò)此次收購,Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠(chǎng)的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態(tài)系統中占據重要地位,引領(lǐng)新港地區和該區域其他工廠(chǎng)的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶(hù),并于2019年通過(guò)投資Neptune 6 Limite
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GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠(chǎng)找買(mǎi)家

  • GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來(lái),大刀闊斧進(jìn)行改革,宣布退出全球高端技術(shù)的開(kāi)發(fā),又將新加坡 8 寸廠(chǎng) Fab 3E 賣(mài)給臺積電旗下的世界先進(jìn)后,業(yè)界再度點(diǎn)名“下一刀”,是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠(chǎng)尋找買(mǎi)家。據傳美系 IDM 大廠(chǎng)有興趣,看來(lái)新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底,GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha,出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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SiC功率半導體器件需求年增29%,X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

  •   隨著(zhù)提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù),現已變得更具性?xún)r(jià)比。此外,隨著(zhù)市場(chǎng)的增長(cháng),由于規模經(jīng)濟的關(guān)系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來(lái)越具有吸引力?! 」β拾雽w(如二極管和MOSFET)可以通過(guò)幾種機制顯著(zhù)節省能源。與傳統的硅器件相比,SiC二極管可以實(shí)現短得多的反向恢復時(shí)間,從而實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。就其本身
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不了解半導體FAB廠(chǎng)?看完這篇就懂了

  • 半導體FAB廠(chǎng) FAQ100問(wèn)影響工廠(chǎng)成本的主要因素有哪些?答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體hellip; Labor
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Skorpios收購了一座位于美國德州的Fab

  •   據麥姆斯咨詢(xún)報道,美國系統級芯片廠(chǎng)商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導體集成廠(chǎng)商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab,本次交易的具體金額暫未披露。        Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學(xué)、MEMS傳感器以及醫療應用微流控領(lǐng)域的創(chuàng )新研究。Skorpios則擁有一套獨有的晶圓級工藝,能夠實(shí)現硅和III-V族材料的單片集成,并作為工作介質(zhì)(active medium)制造硅光子IC。   在此次并購交易之
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【E課堂】不了解半導體FAB廠(chǎng)?看完這篇就懂了

  •   影響工廠(chǎng)成本的主要因素有哪些?  答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊,維修,研究費用……等 Production Support其它相關(guān)單位所花費的費用  在FAB內,間接物料指哪些?  答:Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學(xué)液&nbs
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力爭Fab主動(dòng)權 中國瘋狂建廠(chǎng)的背后

  •   當下的華夏大地,正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機器人的熱詞。沒(méi)有幾個(gè)人能說(shuō)得清,有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線(xiàn)在運籌帷幄之中,又有多少大佬背著(zhù)錢(qián)袋在這個(gè)“金礦”邊上徘徊。中國歷來(lái)的傳統是,黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標,就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰場(chǎng)。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開(kāi)始注意到潛在的風(fēng)險,我們在去“傳統產(chǎn)能”的同時(shí),會(huì )不會(huì )帶來(lái)新的“高科技產(chǎn)能過(guò)剩”風(fēng)險?這是我們每個(gè)行業(yè)從業(yè)者要認
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X-Fab將收購已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)Altis

  •   模擬、混合訊號晶圓代工廠(chǎng)X-Fab集團于9月30日宣布,將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購價(jià)格方面,X-Fab未進(jìn)一步對外透露。   根據外媒報導,Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠(chǎng)房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購Altis Semiconductor將有助增
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X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)

  •   模擬、混合訊號晶圓代工廠(chǎng)X-Fab集團于9月30日宣布,將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購價(jià)格方面,X-Fab未進(jìn)一步對外透露。   根據EETimes等外媒報導,Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠(chǎng)房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線(xiàn)到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購Altis Semicondu
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全球fab設備支出2013年將持平 2014年會(huì )有24%的增長(cháng)

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì )有24%的增長(cháng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠(chǎng)設備支出增長(cháng)點(diǎn)在于技術(shù)節點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì )增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過(guò)180家機構的設備支出。
  • 關(guān)鍵字: Fab  電子制造  

全球fab設備支出2013年將持平 2014年會(huì )有24%的增長(cháng)

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì )有24%的增長(cháng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠(chǎng)設備支出增長(cháng)點(diǎn)在于技術(shù)節點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì )增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過(guò)180家機構的設備支出。
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X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng )180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

X-FAB持續擴張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)

  •   X-FAB Silicon Foundries 宣布,已經(jīng)增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股,從25.5%提高到51%,成為后者的最大股東,并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統晶圓廠(chǎng)(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。   上述動(dòng)向反映了X-FAB對MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠(chǎng)補強了X-FAB 微機電系統晶圓廠(chǎng)最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源,增添微感測器、致動(dòng)器、微光學(xué)結構與
  • 關(guān)鍵字: X-FAB   微感測器  MEMS  

X-FAB收購MFI大部分股份

  •   X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。   此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠(chǎng)補充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠(chǎng)的MEMS的生產(chǎn)能力及資源,添加了微感應器、制動(dòng)器、微光學(xué)結構與密封晶片級封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。   X-FAB MEMS Found
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