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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀多的演進(jìn)：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
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由單片IC構成的廉價(jià)100KHZ V-F轉換器

電路的功能以往一提到F-F轉換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉換器，這是一種廉價(jià)的100KHZ V-F轉換器標準電路，它把0~10V的輸入電壓轉換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
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F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較

　　引言　　高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng )新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。　　若系統設計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠(chǎng)自動(dòng)化和電信到計量和醫療技術(shù)的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
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Ramtron發(fā)布具射頻功能之無(wú)線(xiàn)存儲器MaxArias

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation日前宣布，現正向數個(gè)行業(yè)的客戶(hù)提供首款MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲器產(chǎn)品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無(wú)線(xiàn)存儲器產(chǎn)品將無(wú)線(xiàn)存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合，能夠在廣泛的應用領(lǐng)域中，實(shí)現創(chuàng )新性數據采集功能。　　Ramtron首個(gè)無(wú)線(xiàn)存儲器系列稱(chēng)作MaxArias WM71
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM MaxArias 無(wú)線(xiàn)存儲器

Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA，進(jìn)一步擴大其符合AEC-Q100汽車(chē)標準要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車(chē)溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長(cháng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標準的汽車(chē)存儲器產(chǎn)品的新成員。
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關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說(shuō)明

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫(xiě)性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線(xiàn)制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、幾
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Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機總線(xiàn)適配卡 (HBA card) 等應用。　　與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫(xiě)速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™)
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Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫(xiě)速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™) 寫(xiě)入、無(wú)乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、
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Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴展V系列產(chǎn)品線(xiàn)

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation，發(fā)布了兩款具有高速讀/寫(xiě)性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線(xiàn)制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay&t
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Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤(pán)

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布，其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計算機有限公司采用，以生產(chǎn)創(chuàng )新的數據存儲設備—固態(tài)硬盤(pán) (solid-state disk, SSD)。　　盛博科技專(zhuān)門(mén)研究、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)基于國際標準的嵌入式硬件和軟件系統，瞄準工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)，終端客戶(hù)遍及軌道運輸、電力、醫療設備和運動(dòng)控制等應用領(lǐng)域。　　除了能夠在斷電后保持數
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Ramtron推出32Kb器件擴展F-RAM串口存儲器

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫(xiě)性能、低電壓運行，以及出色的數據保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線(xiàn)制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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混合動(dòng)力是新能源汽車(chē)切入點(diǎn) IGBT成驅動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車(chē)是大規模應用新能源汽車(chē)的切入點(diǎn)。功率半導體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車(chē)中起著(zhù)不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車(chē)還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統等方面得到改善。　　節能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車(chē)在全球范圍內日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車(chē)展上，多家汽車(chē)企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)，這預示著(zhù)新能源汽車(chē)即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車(chē)的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開(kāi)展節能與新能源汽車(chē)示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節能與
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RAMTRON 宣布與 IBM 達成代工協(xié)議

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設施內增設 Ramtron 的 F-RAM 半導體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導體產(chǎn)品的基礎。　　Ramtron首席運營(yíng)官 Bob Djokovich 稱(chēng)：“我們期
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RAMTRON 宣布與 IBM 達成代工協(xié)議

世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設施內增設 Ramtron 的 F-RAM 半導體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導體產(chǎn)品的基
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RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲器提供FBGA封裝選擇

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪(fǎng)問(wèn)速度、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統如機器人、網(wǎng)絡(luò )和數據存儲應用、多功能打印機、自動(dòng)導航系統，以及許多
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