Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤(pán)
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布,其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計算機有限公司采用,以生產(chǎn)創(chuàng )新的數據存儲設備—固態(tài)硬盤(pán) (solid-state disk, SSD)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/95748.htm盛博科技專(zhuān)門(mén)研究、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)基于國際標準的嵌入式硬件和軟件系統,瞄準工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng),終端客戶(hù)遍及軌道運輸、電力、醫療設備和運動(dòng)控制等應用領(lǐng)域。
除了能夠在斷電后保持數據外,非易失性F-RAM存儲器也具有幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數、無(wú)延遲寫(xiě)入和極低功耗等優(yōu)點(diǎn)。配合4Mb的數據存儲容量,使得Ramtron 的FM22L16成為盛博科技工業(yè)SSD產(chǎn)品最具吸引力的存儲解決方案。
Ramtron全球市場(chǎng)推廣總監徐夢(mèng)嵐評論道:“基于閃存的SSD的面世,意味著(zhù)計算機存儲子系統架構的改變。F-RAM具有的無(wú)需后備電池、改進(jìn)的系統功耗、更高可靠性,以及更緊湊的外形尺寸等特點(diǎn),解決了一直以來(lái)困擾著(zhù)SSD業(yè)界的耐久性問(wèn)題。”
盛博科技使用標準硬盤(pán) (HDD) 接口和控制器,將閃存的虛擬物理地址和邏輯地址的空間映射像表 (block-to-sector map) 存儲到FM22L16內。由于閃存本身有寫(xiě)入次數的限制,很容易過(guò)早出現損耗,必須將需要經(jīng)常更新的SSD內的數據地址存儲到映射表中,便可以減少閃存的損耗。映射表須經(jīng)常寫(xiě)入更新,而且要求在斷電狀態(tài)中保存,F-RAM 正好適合在這種頻繁讀寫(xiě)及低功耗的環(huán)境中應用。另外,使用F-RAM的SSD不含傳統硬盤(pán)的運動(dòng)部件或機械故障點(diǎn),所以非常適合工業(yè)應用。
徐夢(mèng)嵐總結道:“Ramtron 很高興能夠協(xié)助盛博科技開(kāi)發(fā)其 SSD 產(chǎn)品。在工業(yè)自動(dòng)化行業(yè)中,Ramtron FM22L16是需要高耐久性、無(wú)電池及低功耗設計的理想存儲器。”
盛博科技總經(jīng)理趙勇稱(chēng):“Ramtron 之 FM22L16存儲器具有高耐久性、快速寫(xiě)入和低功耗特性,是嵌入式領(lǐng)域應用的理想選擇。”
產(chǎn)品特性
Ramtron之FM22L16是256Kx16非易失性存儲器,讀寫(xiě)操作與標準 SRAM 相似。它具備快速寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的寫(xiě)入耐久性,并在意外掉電期間不會(huì )丟失存儲數據等特點(diǎn),因而優(yōu)于其它類(lèi)型的存儲器。FM22L16無(wú)需電池,只需極低的電流 (工作狀態(tài)18mA、待機狀態(tài)150µA、睡眠狀態(tài)5µA),能夠提供長(cháng)達10年的數據保存時(shí)間,并消除了SRAM (BBSRAM) 需要后備電池、可靠性不足、功能限制、以及系統設計復雜性等問(wèn)題。
FM22L16包括一個(gè)低電壓監控器,當電源電壓低于臨界閾值時(shí),便會(huì )阻隔對存儲器陣列的訪(fǎng)問(wèn),防止存儲器在這種狀況下出現意外訪(fǎng)問(wèn)和數據損失。FM22L16 還具有軟件控制的寫(xiě)入保護功能,為存儲器陣列內 8 個(gè)相同大小的模塊的每一個(gè)提供單獨的寫(xiě)入保護。
FM22L16的操作與其它RAM器件相似,可以用作標準SRAM的直接替代器件。通過(guò)CE或簡(jiǎn)單地改變地址,便可以觸發(fā)讀寫(xiě)循環(huán)。
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