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F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較
- 引言 高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng )新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 若系統設計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠(chǎng)自動(dòng)化和電信到計量和醫療技術(shù)的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM BBSRAM
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