Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機總線(xiàn)適配卡 (HBA card) 等應用。

　　與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫(xiě)速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay™) 寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數及低功耗等特點(diǎn)，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。

　　Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理李鴻鈞稱(chēng)：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容，具有實(shí)時(shí)非易失性寫(xiě)入和快速上電運作等優(yōu)勢，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來(lái)支持斷電時(shí)的數據存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節省成本和基板空間，簡(jiǎn)化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性。”

　　關(guān)于FM14C88

　　FM14C88 是配置為 32K x 8 的標準并口非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，讀寫(xiě)操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數據，并提供超過(guò)635年(55℃) 的數據保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設計復雜性等問(wèn)題。F-RAM具有寫(xiě)入速度快，幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數 (寫(xiě)入次數大約為1014次) 等特點(diǎn)，使其成為RAID存儲服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化等應用的理想選擇。

　　FM14C88 在系統內的工作方式與其它 SRAM 器件類(lèi)似，可以用作標準 SRAM的兼容替代器件。只需開(kāi)啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫(xiě)操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入數據的非易失性存儲應用。FM14C88可在整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。

　　FM14C88 F-RAM器件的特性包括：

• 無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫(xiě)入
• 頁(yè)面模式工作頻率高達33MHz
• 無(wú)需大型存儲電容器，不存在與電容相關(guān)的品質(zhì)和成本問(wèn)題
• 即時(shí)進(jìn)行非易失性寫(xiě)入操作
• 上電恢復時(shí)間為250 ms，比nvSRAM快100倍
• 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
• 60 ns存取時(shí)間，90 ns讀寫(xiě)周期時(shí)間
• 電源電壓2.0V – 3.6V
• 90 mA待機電流 (典型值)
• 7 mA工作電流 (典型值)
• 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝

　　FM14C88 并口存儲器已獲得全球著(zhù)名RAID供應商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優(yōu)勢已獲得業(yè)界公認。