關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說(shuō)明

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫(xiě)性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線(xiàn)制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay)寫(xiě)入、幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數及低功耗等特點(diǎn)，是工業(yè)控制、表計、醫療電子、軍事、游戲、計算機及其它應用領(lǐng)域的256kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲器的兼容替代產(chǎn)品。

　　Ramtron 市場(chǎng)推廣經(jīng)理Mike Peters 稱(chēng)：“這兩款256kb V系列串口器件，具有相比上一代產(chǎn)品更低的工作電壓和更高性能，可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴展V系列產(chǎn)品線(xiàn)，履行Ramtron對環(huán)境的承諾，提供功效更高的非易失性存儲器產(chǎn)品，同時(shí)免除對電池的依賴(lài)。”

　　關(guān)于FM24V02 和FM25V02

　　FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C總線(xiàn)速度執行寫(xiě)入操作，并支持100 kHz 和400 kHz的傳統總線(xiàn)頻率。此器件無(wú)寫(xiě)入延遲，而且無(wú)需進(jìn)行數據輪詢(xún)即可開(kāi)始下一個(gè)總線(xiàn)周期。此外，FM24V02提供高達100萬(wàn)億 (1E14)的讀/寫(xiě)次數，相比EEPROM高出幾個(gè)數量級。FM24V02在執行寫(xiě)操作時(shí)不需要為寫(xiě)入電路提供內部升高的電源電壓，因而功耗也遠較EEPROM低。FM24V02工作模式耗電低于150mA(通常在100kHz下)，待機模式下則為90mA，而睡眠模式耗電更低至5mA。

　　FM25V02 在40MHz SPI時(shí)鐘頻率下運作的耗電量?jì)H為3mA，待機模式下為90mA，睡眠模式下則為5mA。FM25V02的典型運作功耗只有 38mA/MHz，較此類(lèi)的串口閃存或EEPROM產(chǎn)品耗電降低了一個(gè)數量級。

　　兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標準的只讀器件ID，可讓主機確定制造商、存儲容量和產(chǎn)品版本信息。它們還提供可選的獨特只讀序列號，方便確定帶有全球獨有ID的主機電路板或系統。最后，FM24V02 和 FM25V02能確保在-40℃至+85℃的溫度范圍工作，較適合工業(yè)應用。

　　關(guān)于V系列F-RAM

　　Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用由Ramtron和德州儀器共同開(kāi)發(fā)的先進(jìn)130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包括多種容量的I2C、SPI和字節寬度的并口存儲器。其先進(jìn)的制造工藝能夠提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM包括以下型號：

　　● FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM) ;

　　● FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM) ;

　　● FM24V05(512kb串口I2C F-RAM) ;

　　● FM25V05(512kb串口SPI F-RAM );

　　● FM28V100 (1Mb并口F-RAM)。