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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
- 近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
- 關(guān)鍵字： GaN 散熱能力
使用 GaN 器件可以減小外置醫用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應用來(lái)說(shuō)，完全不依賴(lài)純電池設計可能是不可行、不適用和無(wú)法接受的。醫療系統就屬于這類(lèi)應用。相反，設備通常必須直接通過(guò) AC 線(xiàn)路運行，或至少在電池電量不足時(shí)連接 AC 插座即可運行。除了滿(mǎn)足基本的 AC/DC 電源性能規范外，醫用電源產(chǎn)品還必須符合監管要求，即滿(mǎn)足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現故障時(shí)，也不會(huì )給操作員或病人帶來(lái)危險。與此同時(shí)，醫療電源的設計者必須不斷提地
- 關(guān)鍵字： DigiKey GaN AC/DC
基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
- 關(guān)鍵字： TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應用場(chǎng)景
- PC公司的氮化鎵專(zhuān)家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì )展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實(shí)現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì )期間，EPC的技術(shù)專(zhuān)家將于1月9日至12日在套房與客戶(hù)會(huì )面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng )新、用于陽(yáng)臺的小型發(fā)電廠(chǎng)的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽(yáng)能陽(yáng)臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開(kāi)關(guān)應用至關(guān)重要，同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著(zhù)縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
- 關(guān)鍵字： Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化鎵器件 GaN
面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢。我們將在下
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN 功率放大器
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
- 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點(diǎn)，對于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關(guān)。根據設備上的終端數量，可以使用多個(gè)源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 FET 生物傳感器
日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現GaN垂直導電
- 當地時(shí)間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會(huì )社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
- 關(guān)鍵字： GaN 垂直導電 OKI
1250V！PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限
- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開(kāi)關(guān)功率應用。當然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng )新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開(kāi)關(guān)的應用填補了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應用中
- 關(guān)鍵字： 1250V PI PowiGaN GaN
Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著(zhù)TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導通電阻可
- 關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵 GaN
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現更小的電機驅動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機器人和無(wú)人機
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著(zhù)提高了電機驅動(dòng)系統的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 電機驅動(dòng)器
CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?？萍及雽w公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設計和開(kāi)發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商，專(zhuān)注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
- 關(guān)鍵字： CGD 群光電能 GaN 生態(tài)系統
巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計
- 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統等。對于這些離線(xiàn)反激式電源的設計者來(lái)說(shuō)，面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性，同時(shí)繼續降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實(shí)現更高的功率密度。然
- 關(guān)鍵字： 電源效率 氮化鎵 GaN 電源轉換器設計
e-mode gan fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條e-mode gan fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對e-mode gan fet的理解，并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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