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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區
英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
- 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監管部門(mén)審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購?GaN Syste
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵
英飛凌完成收購氮化鎵系統公司 (GaN Systems)
- 據英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監管部門(mén)審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據該協(xié)議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動(dòng)
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Transphorm最新技術(shù)白皮書(shū):常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比
- 氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書(shū)。該技術(shù)文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實(shí)現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點(diǎn)白皮書(shū)介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
- 關(guān)鍵字： Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
羅姆GaN器件帶來(lái)顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
- 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
- 關(guān)鍵字： 202310 羅姆 GaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專(zhuān)注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開(kāi)發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專(zhuān)利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營(yíng)的上市公司，這意味著(zhù)在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng )新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰
- 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車(chē)、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營(yíng)成本?！? ?可再生能
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導體
SiC和GaN的技術(shù)應用挑戰
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(cháng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
- 關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng )新
- 1 SiC、GaN相比傳統方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿(mǎn)足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況
- ST（ 意法半導體） 關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關(guān)鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN
基于onsemi NCP1618多模式PFC 500W設計方案
- 近年來(lái)隨著(zhù)應用技術(shù)不斷推陳出新，造就終端應用的功率需求越來(lái)越大，例如:5G網(wǎng)通電源供應器、ATX/Gaming電源供應器等等，功率消耗大于一程度時(shí)電源供應器就要有功率因數校正(Power Factor Correction, PFC)的功能，以歐盟EN61000-3-2規范要求，所有電子產(chǎn)品輸入功率大于75W時(shí)，其電源供應都需要有功率因數校正的機能。另外，在規格要求也越來(lái)越嚴苛，以往可能只要求滿(mǎn)載下效率與功率因數PF值等，目前會(huì )要求在某負載范圍下效率都要達到一定的程度，且PF值也要達到一定的數
- 關(guān)鍵字： onsemi power 安森美 NCP1618 Multi-mode PFC ATX power Gaming power Networking 電競電源 網(wǎng)通電源
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過(guò)往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠(chǎng)牌使用各自的接口，導致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過(guò)此接口傳輸數據，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過(guò)去即使透過(guò)USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長(cháng)的時(shí)間來(lái)充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著(zhù)的性能表現優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應器來(lái)看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過(guò)鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關(guān)鍵字： GaN Systems 氮化鎵
日本新技術(shù)將GaN材料成本降90%
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開(kāi)發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動(dòng)汽車(chē)(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據TrendForce集邦咨詢(xún)研究報告顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規模將從2022年的1.8億美金成長(cháng)到2026年的13.3億美金，復合增長(cháng)率
- 關(guān)鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對e-mode gan fet的理解，并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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