小改變大不同 揭秘DDR4內存與DDR3區別

　　DDR3內存自從2007年服役以來(lái)，至今已經(jīng)走過(guò)了8個(gè)年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來(lái)說(shuō)，內存發(fā)展可謂相當緩慢。不過(guò)好在2014年底，各大廠(chǎng)商紛紛上架DDR4內存產(chǎn)品，起跳頻率達到2133MHz，標志著(zhù)DDR3時(shí)代的終結。

　　DDR4內存雖然醞釀了很長(cháng)時(shí)間，但是由于DDR4內存標準一直遲遲未公布，廠(chǎng)家宣傳也很少，導致網(wǎng)友對DDR4內存了解甚少。那么今天筆者就帶著(zhù)大家提前進(jìn)入DDR4內存時(shí)代。

　　DDR4與DDR3內存差異一：處理器

　　Haswell-E架構圖解

　　每次內存升級換代時(shí)，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設計，DDR4內存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點(diǎn)一個(gè)是6核升級8核，另一點(diǎn)是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會(huì )同時(shí)支持DDR3和DDR4內存，所以增加了DDR4普及的門(mén)檻。

　　DDR4與DDR3內存差異二：外型

　　DDR4金手指變化較大

　　大家注意上圖，宇瞻DDR4內存金手指變的彎曲了，并沒(méi)有沿著(zhù)直線(xiàn)設計，這究竟是為什么呢?一直一來(lái)，平直的內存金手指插入內存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個(gè)問(wèn)題，DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線(xiàn)過(guò)渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩定內存。

　　接口位置同時(shí)也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數量方面，普通DDR4內存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。

　　DDR4與DDR3內存差異三：參數

　　DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70%。

　　默認頻率DDR42133CL15

　　DDR42133頻率下帶寬測試：48.4GB/s

　　從宇瞻32GBDDR4-2133內存來(lái)看，僅默認頻率帶寬就高達48.4GB/s，可見(jiàn)DDR4對系統性能提升重要性。

　　另外就是其它參數的改變，比如容量和電壓。

　　DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來(lái)說(shuō)，目前常見(jiàn)的大容量?jì)却鎲螚l容量為8GB(單顆芯片512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會(huì )使用20nm以下的工藝來(lái)制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMDDR4的電壓還會(huì )降得更低。