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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路

  • 0 引 言
    隨著(zhù)集成電路技術(shù)的廣泛應用及集成度的不斷增加,超大規模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內部的溫度不斷提高,溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm CMOS工藝下,
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  •   IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節點(diǎn)。   在IEDM會(huì )議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱(chēng)該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(cháng),非常適合于低功耗應用。除了場(chǎng)效應管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。   該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng )新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構。   該技術(shù)部分依賴(lài)于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
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兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設計與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位,在調制、解調、時(shí)鐘恢復、頻率合成中都扮演著(zhù)不可替代的角色??煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近,鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求,越來(lái)越多的研究人員投人到基于CMOS工
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10~37 GHz CMOS四分頻器的設計

  • 1 引言
    隨著(zhù)通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對通信系統中單元電路的研究也越來(lái)越多。而分頻器廣泛應用于光纖通信和射頻通信系統中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現方式可分為模擬和數字兩種。模
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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破

  •   東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術(shù)會(huì )議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開(kāi)啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門(mén),成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示,他們通過(guò)對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現了這次突破。   在傳統工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實(shí)現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料,解決了這一問(wèn)題,成功實(shí)現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
  • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  20nm  

高性能片內集成CMOS線(xiàn)性穩壓器設計

  • 0 引言
    電源管理技術(shù)近幾年已大量應用于便攜式和手提電源中。電源管理系統包括線(xiàn)性穩壓器、開(kāi)關(guān)穩壓器和控制邏輯等子系統。本文主要針對低壓差線(xiàn)性穩壓器進(jìn)行研究。低壓差線(xiàn)性穩壓器是電源管理系統中的一個(gè)基
  • 關(guān)鍵字: 穩壓器  設計  線(xiàn)性  CMOS  集成  高性能  

0.6μm CMOS工藝全差分運算 放大器的設計

  • 0 引言
    運算放大器是數據采樣電路中的關(guān)鍵部分,如流水線(xiàn)模數轉換器等。在此類(lèi)設計中,速度和精度是兩個(gè)重要因素,而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來(lái)決定的。
    本文設計的帶共模反饋的兩級高增益運
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賽普拉斯高精度CMOS圖像傳感器助歐洲航天局Proba-2衛星順利升空

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  CMOS  Proba-2衛星  STAR-250  

美國半導體協(xié)會(huì )副總裁解讀國際技術(shù)路線(xiàn)圖

  •   創(chuàng )新與變革是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旋律。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天,不斷表現出新的趨勢和特征:一方面繼續專(zhuān)注于CMOS技術(shù),沿著(zhù)摩爾定律前進(jìn)(moreMoore’s);另一方面,產(chǎn)品多功能化(morethanMoore’s)趨勢日益明顯。國際半導體技術(shù)路線(xiàn)圖(ITRS)是被業(yè)界廣泛認同的對未來(lái)15年內半導體研發(fā)需求的最佳預測。在國際金融危機沖擊半導體產(chǎn)業(yè)、半導體技術(shù)變化更加迅速、產(chǎn)業(yè)競爭更加激烈的狀況下,ITRS會(huì )對半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)做出怎樣的指導和預測?在日前舉辦的ICCHINA20
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Cypress CMOS圖像傳感器助Proba-2衛星順利升空

  •   賽普拉斯半導體公司日前宣布,其專(zhuān)為航天應用而開(kāi)發(fā)的三款重量級CMOS圖像傳感器由歐洲航天局(EAS)的Proba-2衛星搭載于十一月二日成功發(fā)射升空。賽普拉斯的新型HAS2圖像傳感器專(zhuān)為高精度行星跟蹤而設計,被意大利的SELEX Galileo公司設計的新型行星跟蹤器所選用。HAS2圖像傳感器還被用于一個(gè)超紫外望遠鏡科學(xué)設備,以便觀(guān)測日冕。此外,賽普拉斯的STAR-250圖像傳感器還被荷蘭TNO公司用于其新型數字太陽(yáng)傳感器。HAS2 和 STAR-250器件均由位于比利時(shí)的賽普拉斯圖像傳感器事業(yè)部為E
  • 關(guān)鍵字: Cypress  CMOS  圖像傳感器  

一種基于電荷泵的CMOS圖像傳感器

  • 提出一種基于電荷泵的CMOS圖像傳感器。使用一個(gè)基本的電荷泵電路提高重置脈沖信號的幅值至5.8 V,使像素單元中的充電節點(diǎn)電壓在充電周期可以達到電源電壓;同時(shí)調整像素單元中的源極跟隨器的參數,降低充電節點(diǎn)電壓在積分周期的擺動(dòng)范圍下界,充電節點(diǎn)電壓的擺幅提高了53.8%,傳感器的動(dòng)態(tài)范圍提高了3.74 dB。這種方案也減小了充電時(shí)間常數,使充電周期減小到10 ns,有效地提高了傳感器的圖像采集幀率。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  電荷泵  圖像傳感器    

Cypress推出通用CMOS圖像傳感器

  •   賽普拉斯半導體公司日前推出一款面向機器視覺(jué)市場(chǎng)的高靈敏度高速CMOS圖像傳感器。該款全新的130萬(wàn)像素VITA 1300傳感器結合了管線(xiàn)式和觸發(fā)式全局快門(mén),具有150幀/秒(fps)的無(wú)圖像畸變高幀頻,而且讀出速度很快。管線(xiàn)式全局快門(mén)功能能夠在讀出期間進(jìn)行曝光,從而減少運動(dòng)圖像的模糊程度。該傳感器還可工作于具有中央動(dòng)態(tài)存儲器(CDS)的滾動(dòng)快門(mén)狀態(tài),以降低噪聲,增加動(dòng)態(tài)范圍。新型VITA 1300系列源于賽普拉斯在機器視覺(jué)市場(chǎng)上頗為成功的IBIS5系列圖像傳感器,還可以用于條碼掃描、運動(dòng)檢測和安防領(lǐng)域
  • 關(guān)鍵字: Cypress  傳感器  CMOS  

Aptina CMOS sensor MT9V126倒車(chē)影像方案

  •   MT9V126 是Aptina 針對車(chē)載倒車(chē)影像市場(chǎng)推出的高靈敏度CMOS sensor產(chǎn)品,其主要特性:內部集成overlay(on chip)功能;Lens Distortion correction(鏡頭光學(xué)變形校正); Vertical Perspective Adjustment 感光能力可達11.5V/lux-s(55onm); 動(dòng)態(tài)范圍pixel Dynamic Range 大于82db;可對客戶(hù)為開(kāi)發(fā)應用于低照,強眩光等嚴苛條件下的倒車(chē)影像產(chǎn)品,并同時(shí)降低客戶(hù)整體開(kāi)發(fā)成本提供強有力的幫
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采用0.18µm CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統的16:1復用器電路

  • 采用0.18micro;m CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統的16:1復用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統的16:1復用器電路。該電路采用數?;旌系姆椒ㄟM(jìn)行設計,第一級用數字電路實(shí)現16:4的復用,第二級用模擬電路實(shí)現4:1的復用,從而實(shí)現16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結果表明,當電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時(shí),電路可以
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