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任重而道遠：中芯國際將力爭在今年實(shí)現45納米小批量試產(chǎn)
- 據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。 在第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項技術(shù)獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。 據介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證，并于2009年第三季度
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 65納米 40納米 CMOS
ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運算放大器
- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應商，今天宣布針對中國市場(chǎng)發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產(chǎn)品相比，ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實(shí)現同樣的高速性能。與此同時(shí)，ADI 在高速運算放大器產(chǎn)品領(lǐng)域的行業(yè)絕對領(lǐng)導地位以及對于中國市場(chǎng)的長(cháng)期承諾和投入，也確保了中國客戶(hù)能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術(shù)支持。針對中國市場(chǎng)的需求，ADI 還將彌
- 關(guān)鍵字： ADI CMOS 運算放大器 ADA489
IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無(wú)線(xiàn)收發(fā)器
- 在2010年2月10日召開(kāi)的國際固態(tài)電子電路大會(huì )上，IMEC、株式會(huì )社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無(wú)線(xiàn)標準和應用要求，并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標準。 可隨時(shí)隨地為用戶(hù)提供大量服務(wù)的無(wú)線(xiàn)通信終端發(fā)展趨勢，推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無(wú)線(xiàn)電的發(fā)展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無(wú)線(xiàn)電就成為其最經(jīng)濟的實(shí)現方式。并
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 40nm CMOS 無(wú)線(xiàn)收發(fā)器
愛(ài)爾蘭科學(xué)家開(kāi)發(fā)出業(yè)內首款非節型晶體管
- 愛(ài)爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱(chēng)他們成功制出了業(yè)內首款非節型晶體管，并稱(chēng)此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類(lèi)似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數十個(gè)原子的直徑加起來(lái)那么大。 該研發(fā)團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門(mén)限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。 硅溝道中的電
- 關(guān)鍵字： 晶體管 CMOS
格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國際出貨達10萬(wàn)片
- 作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設計公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達到10萬(wàn)片的新里程碑。 牋牋作為大陸地區首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專(zhuān)業(yè)CMOS圖像傳感器設計公司，格科微擁有創(chuàng )新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
- 關(guān)鍵字： 格科微 CMOS 圖像傳感器
再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠(chǎng)
- 三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴充產(chǎn)能機制，預計將再新增1座8寸晶圓廠(chǎng)，全數用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。 據了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠(chǎng)、1座12寸廠(chǎng)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠(chǎng)月產(chǎn)能共4萬(wàn)~4.5萬(wàn)片，12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能2萬(wàn)~2.5 萬(wàn)片，2009年下半為滿(mǎn)足客戶(hù)龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠(chǎng)內每月再新增1.2萬(wàn)~2萬(wàn)片產(chǎn)能，不過(guò)即便如此，似乎仍無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。 據了解，新的8寸晶
- 關(guān)鍵字： Samsung CMOS 晶圓
巧焊場(chǎng)效應管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì )感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(cháng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 焊 場(chǎng)效應管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps，是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設備與主機控制器之間的互動(dòng)功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實(shí)現在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設備從而擴展了計算機的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
- 關(guān)鍵字： 威盛 USB3.0 CMOS
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