cmos“ 文章進(jìn)入cmos“技術(shù)社區

Avago推出車(chē)用級高速低功耗數字CMOS光電耦合器

　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，推出二款面向油電混合動(dòng)力車(chē)(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應用所設計的車(chē)用級高速低功耗數字CMOS光電耦合器產(chǎn)品。ACPL-M71T單通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驅動(dòng)光電耦合器為Avago R2Coupler™數字系列產(chǎn)品的最新成員，這些采用小型化SOIC-5封裝，擁有耐高溫和低功耗特性的光電耦合器非常適合控制器局域網(wǎng)總線(xiàn)(CANBus, Controller Area Ne
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中國首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片“唐芯一號”亮相西安

　　日前在西安曲江國際會(huì )展中心召開(kāi)的第四屆中國民營(yíng)科技產(chǎn)品博覽會(huì )上，本土IC設計公司西安優(yōu)勢微電子公司推出了中國內首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片——“唐芯一號”。　　“唐芯一號”核心芯片是中國第一顆完全自主知識產(chǎn)權的2.4GHz超低功耗射頻可編程片上系統(PSoC)，采用0.18μm數字CMOS工藝，集無(wú)線(xiàn)射頻收發(fā)、數字基帶、數據處理、電源管理于一體，具有無(wú)線(xiàn)通信、無(wú)線(xiàn)組網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)傳感、無(wú)線(xiàn)控制、數據處理等能力，是目前同類(lèi)芯片中集成度最高
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IBM攜手大陸晶圓廠(chǎng) 抗衡臺積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠(chǎng)展開(kāi)技術(shù)平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無(wú)錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當地晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)力，全力擴展大陸市場(chǎng)，未來(lái)IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。　　大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術(shù)授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠(chǎng)，IBM積極尋求合作機會(huì )，不僅對于技術(shù)授權相當開(kāi)放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶(hù)，透過(guò)IBM轉至
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中芯國際宣布 MEMS 芯片成功通過(guò) Microstaq 驗證

　　中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開(kāi)發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗證。　　“我們已接受過(guò)性能規格的 die and run 內部測試”，Microstaq 工程部副總裁 Mark Luckevich 表示，“Ventilum 芯片通過(guò)了最高級別的認證，我們正期待著(zhù)這項技術(shù)應用于暖通空調和制冷市場(chǎng)。” 　　“這是一
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IBM攜手大陸晶圓廠(chǎng)　抗衡臺積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠(chǎng)展開(kāi)技術(shù)平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無(wú)錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當地晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)力，全力擴展大陸市場(chǎng)，未來(lái)IBM技術(shù)勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。　　大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術(shù)授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術(shù)平臺奧援的大陸晶圓廠(chǎng)，IBM積極尋求合作機會(huì )，不僅對于技術(shù)授權相當開(kāi)放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶(hù)，透過(guò)IBM轉至
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俞忠鈺：以?xún)刃枋袌?chǎng)為突破口實(shí)現中國IC業(yè)大發(fā)展

　　“雖然國際金融危機對中國半導體產(chǎn)業(yè)的沖擊非常大，但以中國內需市場(chǎng)為突破口和切入點(diǎn)，中國半導體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的黃金發(fā)展期?！敝袊雽w行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)俞忠鈺充滿(mǎn)信心地指出。在IC CHINA2009召開(kāi)前夕，俞忠鈺就中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現狀和未來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的策略和重點(diǎn)等熱點(diǎn)話(huà)題，接受了《中國電子報》記者的專(zhuān)訪(fǎng)。　　全球半導體業(yè)進(jìn)入變革和創(chuàng )新時(shí)代　　記者：由于國際金融危機的影響，全球半導體產(chǎn)業(yè)呈現出新的變化和特點(diǎn)。你認為國際金融危機后全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生哪些改變?你對全球半導
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現有的技術(shù)能力，更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求，包括快速增長(cháng)的中國市場(chǎng)在內。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。　　“中芯國際上海的12英寸廠(chǎng)已提前達標完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著(zhù)這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績(jì)。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長(cháng)表示，“這些新技術(shù)為
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。　　這ONC18工藝是開(kāi)發(fā)低功率及高集成度數字及混合信號專(zhuān)用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車(chē)、工業(yè)及醫療應用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠(chǎng)制造，因此，預期對于尋求遵從國際武器貿易規章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產(chǎn)的美國軍事應用設計人
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諾貝爾獎當之無(wú)愧，CCD傳感器已無(wú)處不在

　　1969年，貝爾實(shí)驗室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著(zhù)影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達13億顆的龐大市場(chǎng)，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表?yè)P他們在數字成像領(lǐng)域的貢獻。　　“影像傳感器技術(shù)對世界和整個(gè)社會(huì )帶來(lái)了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)。“影像
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采用0.18micro;m CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統

本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統的16:1復用器電路。該電路采用數?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設計，第一級用數字電路實(shí)現16:4的復用，第二級用模擬電路實(shí)現4:1的復用，從而實(shí)現16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結果表明，當電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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臺積電與AMCC結盟取得嵌入式微處理器訂單

　　臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來(lái)將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著(zhù)臺積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
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一種新型CMOS圖像傳感器的設計

為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過(guò)對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過(guò)在傳感器中集成圖像預處理功能，對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)日前宣布成功開(kāi)發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶(hù)合作共同開(kāi)發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過(guò)精細調整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線(xiàn)工藝保證了像素區高敏感性，可
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CMOS射頻接收機系統與電路

CMOS技術(shù)作為設計射頻接收機電路的一種主要技術(shù)，正在得到廣泛研究。本文首先總結了當前射頻接收機的幾種常用結構和主要的工作特性、參數，然后介紹了三種最新的不同結構形式的CMOS射頻前端電路。
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基于CMOS圖像傳感器的納型衛星遙感系統設計

為滿(mǎn)足納型衛星的遙感系統要求, 設計了一套基于互補型金屬氧化物半導體CMOS 圖像傳感器的納型衛星遙感系統, 采用PC 機模擬星上數據處理系統的功能, 通過(guò)控制器局域網(wǎng)CAN總線(xiàn)實(shí)現了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸等功能。通過(guò)熱循環(huán)實(shí)驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線(xiàn), 預測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25～60 ℃的衛星艙內溫度變化。
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