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ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運算放大器和比較器

ROHM株式會(huì )社針對力求省電的筆記本電腦、數碼相機、游戲機等便攜數碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
關(guān)鍵字： CMOS ROHM 比較器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器模擬IC 電源

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

移動(dòng)終端中三類(lèi)射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過(guò)5秒。最好使用20~25W內熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等），應在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿(mǎn)足印刷、掃描和成像外圍設備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動(dòng)化設備、打印機和其它基于成像的外圍設備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費電子消費電子

32段CMOS LCD驅動(dòng)器AY0438及其與單片機的接口設計

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設計

本設計中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設計

超低功耗電子電路系統設計原則

本文將對超低功耗電路設計原則進(jìn)行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變容管的射頻壓控振蕩器設計

引言隨著(zhù)移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實(shí)現壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現電路時(shí)，會(huì )發(fā)現變容二極管的品質(zhì)因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現的器件來(lái)代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。 MOS變容管將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專(zhuān)題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數據采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對系統的嚴謹和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應用技術(shù)，些文獻上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類(lèi)，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿(mǎn)足AMR、無(wú)線(xiàn)家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線(xiàn)連接應用要求，提供比同類(lèi)產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類(lèi)。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

集成CMOS對稱(chēng)式收/發(fā)開(kāi)關(guān)的設計

本文分析了影響對稱(chēng)式射頻收/發(fā)開(kāi)關(guān)性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進(jìn)行設計和實(shí)現。
關(guān)鍵字：設計開(kāi)關(guān) 對稱(chēng) CMOS 集成

設計指南Q&A系列：高速模數轉換器

關(guān)鍵字： CMOS ADC 均衡

思比科開(kāi)發(fā)CMOS手機攝像芯片實(shí)現本土化

　北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車(chē)電子、手機、筆記本攝像頭、醫療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項技術(shù)擁有6項發(fā)明專(zhuān)利的200萬(wàn)像素CMOS攝像芯片，已通過(guò)了技術(shù)測試。　　思比科200萬(wàn)像素攝像芯片，基于上海中芯國際0.18微米工藝，從設計開(kāi)發(fā)到芯片制造的全部工作均在國內完成，完全實(shí)現了國產(chǎn)化。　　思比科表示：“目前，公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬(wàn)像素、130萬(wàn)像素、200萬(wàn)像素等多種CMOS圖像傳感器，300萬(wàn)和500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器芯片現在已經(jīng)申請國內專(zhuān)利8項，準備申請9項國內專(zhuān)利，出
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 手機攝像芯片思比科