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cmos+dps 文章 進(jìn)入cmos+dps技術(shù)社區
45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場(chǎng)
- 中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布，周四公司已經(jīng)對IBM的45納米集成電路制成技術(shù)加以認證。 SMIC說(shuō)，公司將會(huì )采用IBM的CMOS技術(shù)制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠(chǎng)。CMOS，或者說(shuō)金屬氧化物半導體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。 公司在一次聯(lián)合聲明中表示，IBM技術(shù)將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動(dòng)電話(huà)的元件，以及其他消費設備。該認證技術(shù)預期將對SMIC的65納米低端技術(shù)加以補充。 SMIC的總部設在上海，是中國最大的晶圓制造
- 關(guān)鍵字： 芯片 45納米 CMOS IC 制造制程
數字電源――一個(gè)模擬公司的觀(guān)點(diǎn)
- 現在到處都在談?wù)摂底蛛娫?。新成立的公司和已?jīng)取得牢固地位的半導體廠(chǎng)商都聲稱(chēng)數字電源(或者更準確地說(shuō)，是數字控制開(kāi)關(guān)電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說(shuō)，新的數字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過(guò)時(shí)的模擬開(kāi)關(guān)穩壓器。人們將采用通用的數字CMOS工藝技術(shù)，而不再需要專(zhuān)有的模擬工藝技術(shù)，同時(shí)還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化：要么數字化;要么請走開(kāi)，別再擋路。 我們先花點(diǎn)時(shí)間來(lái)琢磨一下這個(gè)詞?！皵底蛛娫础被颉皵底挚刂齐娫础庇袔追N不同的含意。最簡(jiǎn)單的定義是通過(guò)數
- 關(guān)鍵字： 數字電源 模擬 CMOS 嵌入式
產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器
- 本設計實(shí)例提供了一種可作為微控制器替代品的簡(jiǎn)單、廉價(jià)及便攜式設備電路，來(lái)為音頻電路設計與調試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個(gè)頻率測定網(wǎng)絡(luò )以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
- 關(guān)鍵字： 正弦波 CMOS 數字合成器 放大器
CMOS邏輯門(mén)電路
- CMOS問(wèn)世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來(lái)者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結構 CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫(xiě)。它由絕緣場(chǎng)效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結構示意圖
- 關(guān)鍵字： CMOS 邏輯門(mén)電路 邏輯電路
賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數字視頻結合用于電影拍攝
- 賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬(wàn)像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時(shí)，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時(shí)允許電影制作人能將觀(guān)眾的注意力引導至畫(huà)面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng )意價(jià)值的講述故事的手段。 OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 圖像傳感器 CMOS 音視頻技術(shù)
基于0.13μm CMOS工藝的快速穩定的高增益Telescopic放大器設計
- 近年來(lái)，軟件無(wú)線(xiàn)電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線(xiàn)電臺要求對天線(xiàn)接收的模擬信號經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統有高的分辨率，而且其N(xiāo)yquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無(wú)線(xiàn)電臺12 b A/D轉換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應的同時(shí)，得到普通運放所達不到的高增益。 1 高精度，高速度
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 軟件無(wú)線(xiàn)電 CMOS 放大器 放大器
凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn)，有助于在汽車(chē)應用中常見(jiàn)的嚴酷環(huán)境條件下確?？煽繑祿鬏?。 凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制，同時(shí)其它版本具有接
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 RS422 CMOS
意法半導體（ST）芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級
- 意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項先端技術(shù)對于下一代無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)(WLAN)應用產(chǎn)品至關(guān)重要。 這些系統級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線(xiàn)制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下，整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。 ST的半導體成就歸功于公司開(kāi)發(fā)CM
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 意法半導體 45nm CMOS EDA IC設計
CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現與優(yōu)化
- 1 引 言 利用高速線(xiàn)掃描攝像機進(jìn)行監控，具有在線(xiàn)監控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見(jiàn)的線(xiàn)掃描攝像機，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強信號的輸出強度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現TDI的理想器件，它能夠實(shí)現無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅動(dòng)電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規模集成電
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執行器
一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準設計
- 0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實(shí)際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進(jìn)行仿真，HSPICE
- 關(guān)鍵字： 軟啟動(dòng) CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos+dps的理解，并與今后在此搜索cmos+dps的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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