cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區

富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶(hù)提供全套解決方案

　　富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會(huì )社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設備的片上系統（SoC）產(chǎn)品。根據各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專(zhuān)業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶(hù)提供高性能的客戶(hù)自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
關(guān)鍵字： 65nm 90nm CMOS RF 代工富士通捷智

低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究

近年來(lái)，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(cháng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數字電路和模擬電路的整個(gè)系統同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，通過(guò)合理減小電路尺寸，不難滿(mǎn)足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
關(guān)鍵字： CMOS 低電壓電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器模擬IC 電源

一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 鎖定電路

CMOS在大范圍醫療及其他新型圖形傳感器應用中贏(yíng)得市場(chǎng)

目前，傳統的電荷耦合設備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿(mǎn)足工業(yè)及專(zhuān)業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應用的需要?；跇藴蔆MOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統環(huán)境下表現出的易集成性在醫用電子產(chǎn)品行業(yè)中開(kāi)創(chuàng )出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶(hù)提供了更多選擇。從CCD到CMOS：大勢所趨在過(guò)去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數據的串行傳輸。為
關(guān)鍵字： CMOS 單片機嵌入式系統圖形傳感器醫療醫療電子

嵌入式CMOS成像器速度全息數據檢索

過(guò)去，由于缺乏低成本系統部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)受到限制?，F在，已經(jīng)進(jìn)入消費類(lèi)屏幕市場(chǎng)的數字微鏡設備以及用于高速機器視覺(jué)應用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀(guān)。舉例來(lái)說(shuō)，由于微鏡設備可被有效地用作空間光調制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數字數據。在傳統光學(xué)存儲設備中，數
關(guān)鍵字： CMOS 成像器單片機嵌入式系統數據檢索

用于通用X射線(xiàn)應用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器

摘要: 本文以使用標準CMOS技術(shù)和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專(zhuān)為X射線(xiàn)成像系統而設計，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標準0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長(cháng)度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
關(guān)鍵字： CMOS X射線(xiàn) 電源技術(shù) 晶圓級模擬技術(shù) 圖像傳感器有源像素其他IC 制程設備診斷類(lèi)

OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(xiàn)(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來(lái)將靈活運用這一特長(cháng)，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來(lái)
關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程

常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)功能和原理

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號或斷開(kāi)信號的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當給驅動(dòng)繼電器的驅動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數字信號。一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內部有4個(gè)獨立的模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當控
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān) 數控電阻電阻電位器

ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運算放大器和比較器

ROHM株式會(huì )社針對力求省電的筆記本電腦、數碼相機、游戲機等便攜數碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
關(guān)鍵字： CMOS ROHM 比較器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器模擬IC 電源

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

Silicon Image宣布開(kāi)始供應第二代處理器

Silicon Image公司近日宣布開(kāi)始供應第二代SteelVine™存儲處理器，型號為SiI5723、SiI5734、SiI5744 與SiI5733。這種更高性能的新款SteelVine處理器的設計為主板和存儲應用制造商提供功率需求更低、封裝引腳尺寸更小、功能更為強大的高性?xún)r(jià)比解決方案。在全球頂級的技術(shù)展——德國漢諾威消費電子、信息及通信博覽會(huì )（CeBIT）上，已有好幾家公司展出了集成第二代SteelVine處理器功能的新產(chǎn)品。第二代SteelVine處理器具有先進(jìn)的存儲能力，包括用
關(guān)鍵字： Image Silicon 單片機嵌入式系統

移動(dòng)終端中三類(lèi)射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過(guò)5秒。最好使用20~25W內熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等），應在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

被訴侵犯Silicon Image版權 Analogix積極應對

????Silicon?Image日前宣布它已經(jīng)在美國加利福尼亞北部聯(lián)邦地方法院向硅谷數模半導體有限公司(Analogix?Semiconductor)提起訴訟。? ????該訴訟控告Analogix公司涉嫌版權侵權、盜用商業(yè)秘密以及從事非法、不公平而且帶有欺騙性的商業(yè)行為。在本訴訟案件當中，Silicon?Image公司宣稱(chēng)Analogix公司涉嫌侵犯Silicon?Imag
關(guān)鍵字： Analogix Image Silicon 芯片

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿(mǎn)足印刷、掃描和成像外圍設備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動(dòng)化設備、打印機和其它基于成像的外圍設備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費電子消費電子

共1015條 65/68 |‹ « 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 »

cmos digital image sensor介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos digital image sensor!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。創(chuàng )建詞條