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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續保持其主導地位”。 　　
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基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅動(dòng)電路設計

  • Verilog HDL語(yǔ)言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語(yǔ)言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡(jiǎn)潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語(yǔ)言設計的邏輯驅動(dòng)電路和仿真結果。
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江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區

  • 　　新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來(lái)逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一，不斷吸引著(zhù)各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向，新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石，在當前更被賦予了全新內涵，蘊藏著(zhù)巨大機遇。在搶抓發(fā)展的大潮中，敢為人先的江陰人當然不會(huì )放過(guò)這一極好的發(fā)展良機。 　　
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基于Zigbee的CMOS無(wú)線(xiàn)射頻芯片的設計考慮

  • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準，RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應用規范)為例，介紹超低功率CMOS無(wú)線(xiàn)射頻芯片的設計概要，從電路設計到系統觀(guān)點(diǎn)，說(shuō)明芯片設計和應用過(guò)程中需要考
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Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線(xiàn)編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器

  • 　　高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導廠(chǎng)商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線(xiàn)編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內置壓控石英晶體振蕩器(VCXO)，能以單一時(shí)鐘IC取代傳統的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案，與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比，Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性，且可分別降低70%的抖動(dòng)和30%的功耗。
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如何建立一個(gè)小型獨立報警電路的CMOS

  • 如何建立一個(gè)小型獨立報警電路的CMOS　　說(shuō)明　　這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個(gè)警報的主要特點(diǎn)是線(xiàn)路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此，他們非常適合電池供電。每個(gè)電路對將打印出一張A4紙。
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如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報警器

  • 　如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報警器　　說(shuō)明　　這是一個(gè)區域報警 - 自動(dòng)出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納所有的常閉輸入設備一般類(lèi)型 - 例如磁簧觸點(diǎn) - 鋁箔膠帶 - PIRs等，但它很容易添加一個(gè)常開(kāi)觸發(fā)。示意圖　　當
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如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區報警

  • 　如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區報警器說(shuō)明　　這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區防盜報警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設計是與常閉類(lèi)型的輸入設備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)
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如何構建基于一個(gè)CMOS單防區報警器

  • 　如何構建基于一個(gè)CMOS單防區報警器　　說(shuō)明　　該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計時(shí)鐘切斷 - 和系統重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿(mǎn)足通常的輸入設備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G
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采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

  • 這個(gè)測試儀的基礎是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線(xiàn)性區域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門(mén)消耗的功率低，甚至是很小的信
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一種新型高精度CMOS帶隙基準源的設計

  • 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25～+120℃范圍的溫度系數為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線(xiàn)性穩壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬(wàn)像素圖像傳感器進(jìn)入數碼單反相機市場(chǎng)

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng )新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬(wàn)像素的圖像傳感器。特別的設計令該產(chǎn)品可實(shí)現專(zhuān)業(yè)攝影師所要求的高畫(huà)質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬(wàn)像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(DR)像素技術(shù)創(chuàng )新(稱(chēng)為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無(wú)需犧牲高亮度環(huán)境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
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CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉折點(diǎn) 開(kāi)始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉折點(diǎn)。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠(chǎng)商均已開(kāi)始表現出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會(huì )對各公司的微細化競爭帶來(lái)影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會(huì )出現轉折 　　“估計一多半的半導體廠(chǎng)商都會(huì )在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)?！霸?0nm以
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基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設計

  • 　　本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結果表明，鋸
  • 關(guān)鍵字： CMOS  工藝  鋸齒波  振蕩電路    

數字式CMOS攝像頭在智能車(chē)中的應用

  • 摘要：介紹數字式CMOS攝像頭MT9M011的工作方式；提出MT9M011在基于HCSl2單片機的智能車(chē)控制系統中的應用方案，針對采集圖像時(shí)遇到的問(wèn)題給出了相應的解決方法；分析數字式CMOS攝像頭相對于模擬攝像頭的優(yōu)勢和不足。
  • 關(guān)鍵字： 車(chē)中  應用  智能  攝像頭  CMOS  數字式  
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cmos digital image sensor介紹

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