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cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
中國智能手機CMOS傳感器競爭硝煙彌漫
- 在中國智能手機市場(chǎng),CMOS(互補金屬氧化物半導體)傳感器領(lǐng)域的競爭正硝煙彌漫?,F在的中國,低價(jià)手機也至少配備了800萬(wàn)像素的傳感器,對CMOS的需求持續上漲??梢宰⒁獾降氖?,主要生產(chǎn)企業(yè)都紛紛加大當地生產(chǎn)能力,并專(zhuān)門(mén)制定對中國市場(chǎng)的戰略。 今年中國智能手機出貨量比去年增長(cháng)了56%,預計會(huì )達到約3億2000萬(wàn)臺,占世界總量的30%。除去中國一線(xiàn)城市,其他城市的主流手機仍然是從1000到2000元左右的低價(jià)手機。產(chǎn)品價(jià)格低,那么上面搭載的原件價(jià)格也低。 據此,CMOS傳感器預計中國需
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MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運算放大器
- MAX44265運算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流,如手機,筆記本電腦和便攜式醫療設備的電池供 ...
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美國半導體聯(lián)盟啟動(dòng)“半導體合成生物技術(shù)”
- 新計劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項目:第1個(gè)領(lǐng)域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領(lǐng)域,將從細胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗應用到新型芯片體系結構中,反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執行器和能源領(lǐng)域,專(zhuān)門(mén)支持半導體生物混合系統;第3個(gè)領(lǐng)域是分子級精確增材制造領(lǐng)域,將在受生物啟發(fā)的數納米級尺度上開(kāi)發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來(lái)多代半導體合成生物技術(shù)研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬(wàn)美元。- 麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
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新日本無(wú)線(xiàn)推出超低功耗CMOS運放NJU77806

- 新日本無(wú)線(xiàn)推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字: 新日本 CMOS 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )
技術(shù):CMOS集成電路電阻的應用分析
- 目前,在設計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中,要根據需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設計達到最優(yōu)。 1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應管,且都是互補結構,工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應管總是處于一個(gè)管導通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。 1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
- 關(guān)鍵字: CMOS 電阻
cmos digital image sensor介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cmos digital image sensor的理解,并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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