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cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節點(diǎn)，使芯片設計人員能夠在單一系統級芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
- 關(guān)鍵字： GF CMOS
寬動(dòng)態(tài)監控攝像機CCD/CMOS-DSP解析
- 寬動(dòng)態(tài)監控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動(dòng)態(tài)攝像機到現在為止，究竟經(jīng)歷了幾代，沒(méi)能講得清楚。就技術(shù)而言，不算背光補償技術(shù)，寬動(dòng)態(tài)現有二種重要實(shí)現方式：CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù)：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據數字信號處理理論
- 關(guān)鍵字： 解析 CCD/CMOS-DSP 攝像機 監控 動(dòng)態(tài)
GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節點(diǎn)，使芯片設計人員能夠在單一系統級芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
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聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機參考設計
- 全球無(wú)線(xiàn)通訊及數字多媒體IC設計領(lǐng)導廠(chǎng)商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫(huà)中畫(huà)、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設計。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā) 豪威 智能手機 CMOS
羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： 羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無(wú)線(xiàn)模塊
中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破
- 中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標志著(zhù)中芯國際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟，步入產(chǎn)業(yè)化階段，更好地滿(mǎn)足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶(hù)伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。 背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的成功，有助于中芯國際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù)，支持國內外客戶(hù)500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 傳感芯片 CMOS
cmos digital image sensor介紹
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