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先進(jìn)封裝技術(shù):可穿戴電子設備成功的關(guān)鍵

  •   最近以來(lái)智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關(guān)注,但市場(chǎng)一直處于“雷聲大,雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因,有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設備實(shí)現突破:小型化低功耗技術(shù)還滿(mǎn)足不了需求、“殺手級”應用服務(wù)缺失、外觀(guān)工藝粗糙、用戶(hù)使用習慣仍需培養?! 募夹g(shù)層面上看,先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一,特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )秘書(shū)長(cháng)蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應用處理器、
  • 關(guān)鍵字: 穿戴式  SiP  3D  CMOS  

東芝為監控攝像頭和行車(chē)記錄儀推出VGA CMOS圖像傳感器

  •   支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻  東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布,該公司將在4月底開(kāi)始批量生產(chǎn)用于監控攝像頭和行車(chē)記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?! ∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素,提高了低光敏感度。即使在月光[1],也可以捕獲明亮的圖像?! ≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動(dòng)態(tài)范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?,并能夠真實(shí)再現高對比度圖像的黑暗和明亮區域?! ≡摦a(chǎn)品的60?
  • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  傳感器  

數字鐘設計與制作

  •   本文采用CMOS數字集成電路實(shí)現了一種數字鐘電路,該電路設計包括了時(shí)序邏輯電路、組合邏輯電路、數碼管顯示電路和脈沖信號產(chǎn)生電路等內容,內容涉及面寬、綜合性強,是電子技術(shù)自主性實(shí)驗教學(xué)的典型案例
  • 關(guān)鍵字: 數字鐘  CMOS  CD4518  BCD-7  

基于視覺(jué)的駕駛員輔助嵌入式系統(上)

  •   本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統的應用、引入它的動(dòng)機及好處。此外,本文還介紹了視覺(jué)處理的未來(lái)解決方案與技術(shù)進(jìn)步,可確保在功率有限的情況下實(shí)現最大性能。適用于前照燈控制、車(chē)道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案,目前使用分辨率高達120萬(wàn)像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著(zhù)新一代傳感器的推出,分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體,需要復雜的算法。車(chē)道保持、自動(dòng)緊急剎車(chē)或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別,但所有這些
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式  CMOS  FPGA  MAC  

非制冷紅外焦平面陣列電路設計

  •   針對SOI二極管型非制冷紅外探測器,設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構,將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進(jìn)行積分。設計了虛擬電流源結構,消除線(xiàn)上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設計,5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時(shí),讀出電路仿真結果表明:動(dòng)態(tài)輸出范圍2V,線(xiàn)性度99.68%,信號輸出頻率5MHz,功耗116mW。
  • 關(guān)鍵字: 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

中國廠(chǎng)商推出世界最高分辨率CMOS傳感器

  • 由中國辰芯光電設計、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5億像素全畫(huà)幅CMOS圖像傳感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率,這顆感光器的其他參數也是相當了得......
  • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

一種14位210MSPS校準電流DAC設計

  • 本文設計了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉換器包括高速模擬開(kāi)關(guān)、帶隙參考電路、電流調整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結構,同時(shí)還采取了電流源調整技術(shù),改善了芯片的線(xiàn)性參數。電路基于0.35μm CMOS工藝設計,芯片面積3.8mm2。測試表明,其刷新率可達210MSPS,INL為±0.8LSB,DNL為±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。  
  • 關(guān)鍵字: DAC  CMOS  

杜比耳機技術(shù)解析

  • 杜比耳機技術(shù)使你能用傳統的立體聲耳機來(lái)欣賞多聲道節目,例如杜比數字(Dolby Digital)或者杜比環(huán)繞聲(Dolby Surround)編碼的電影節目,你能感受到震撼、真實(shí)的環(huán)繞聲效。你也同樣可以在收聽(tīng)CD及MP3這類(lèi)立體聲節目時(shí)獲得更為自然的聲音效果。對任何類(lèi)型的節目,你都能欣賞很長(cháng)的時(shí)間而沒(méi)有疲勞感。 杜比耳機是信號處理系統,它使你的立體聲耳機能夠產(chǎn)生逼真的模擬五只揚聲器回放系統所產(chǎn)生的音響效果。 當使用杜比耳機收聽(tīng)節目時(shí),那些原來(lái)在您前方呈現的聲音將會(huì )在前方呈現,那些原先呈現在您周?chē)穆曇?/li>
  • 關(guān)鍵字: Dolby Digital  Dolby Surround  

一種數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統設計

  • 本文提出了一種全新的數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統, 該系統具有可實(shí)時(shí)觀(guān)察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數據等功能。 對消化道疾病的檢查, 目前最常用和最直接有效的方法就是內窺鏡檢查, 它在消化道疾病的診斷中起著(zhù)極為重要的作用。但現有的常用內窺鏡系統都不得不帶有引導插管, 給系統操作帶來(lái)不便, 同時(shí)給檢查病人也帶來(lái)很大的痛苦, 而且檢查的部位受到限制, 無(wú)法實(shí)現對小腸部分的檢查。隨著(zhù)微電子技術(shù)的發(fā)展, 以色列人開(kāi)發(fā)出了無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統[1],其發(fā)展還在起步階段, 存在一些局限性, 比如圖像
  • 關(guān)鍵字: 無(wú)線(xiàn)  CMOS  

安森美半導體推出高能效電池監測器

  •   推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON?Semiconductor,)推出新系列的互補金屬氧化物半導體(CMOS)?“電池電量監測器”集成電路(IC),為智能手機、平板電腦及數碼相機等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結合了高精度等級,以及業(yè)界最低能耗,優(yōu)于執行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數量及降低系統成本,因為它們跟競爭器件不同,并不要求電流感測電阻來(lái)組成方案?! “采腊?/li>
  • 關(guān)鍵字: 安森美  LC709201F  CMOS  便攜  電池監測  

一種基于混合信號技術(shù)的汽車(chē)電子單芯片設計

  • 隨著(zhù)汽車(chē)部件電子化程度的不斷提高,汽車(chē)工程師們正積極地尋求車(chē)輛系統中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車(chē)系統中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車(chē)工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?,F在,應用與42V車(chē)載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復雜的數字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開(kāi)關(guān)驅動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線(xiàn)系統 由于其相對較低的造價(jià),LIN總線(xiàn)正被廣泛應用于汽車(chē)的分布式電氣
  • 關(guān)鍵字: AMI  CMOS  

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

  •   高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標志著(zhù)移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān),相信會(huì )在集成電路上實(shí)現前所未有的功能。   集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò )追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠(chǎng)商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )的單
  • 關(guān)鍵字: 高通  CMOS  

一種14位210MSPS校準電流DAC設計

一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設計

  •   本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
  • 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān)  CMOS  開(kāi)關(guān)芯片  201402  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構成零件-5

  • 前面我說(shuō)過(guò),要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇,以及各自的利弊吧。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  PMOS  傳輸門(mén)  NMOS  CPU  
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cmos digital image sensor介紹

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