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適用于變電站的CAN現場(chǎng)總線(xiàn)通信適配卡的設計
- 1、前言隨著(zhù)變電站自動(dòng)化程度的不斷提高，自動(dòng)化系統變得龐大和復雜。在一個(gè)變電站自動(dòng)化系統中往往包括...
- 關(guān)鍵字： 變電站 CAN 現場(chǎng)總線(xiàn) 通信適配卡
基于CAN現場(chǎng)總線(xiàn)的發(fā)動(dòng)機組及配電控制系統
- 英碩采用CAN現場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)，為發(fā)電機組的管理及用戶(hù)設備的配電控制提供了全套的解決方案：本系統基于CAN總線(xiàn)分...
- 關(guān)鍵字： CAN 現場(chǎng)總線(xiàn) 發(fā)動(dòng)機組 配電控制系統
μC/OS-II平臺電動(dòng)汽車(chē)儀表盤(pán)的設計與實(shí)現
- 摘要：筆者為某電動(dòng)汽車(chē)設計了一款儀表盤(pán)，實(shí)現了CAN通訊、步進(jìn)電機控制、LCD顯示、LED控制等功能，分析了儀表盤(pán)的系統結構、硬件設計和軟件設計。在軟件開(kāi)發(fā)過(guò)程中，摒棄了傳統的裸寫(xiě)方式，采用實(shí)時(shí)操作系統μC/OS-II進(jìn)行系統應用程序的設計，分析了μC/OS-II的移植和配置過(guò)程，以及基于消息隊列的任務(wù)間通信管理。
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車(chē) CAN 儀表盤(pán) 201212
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。 根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠(chǎng)即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰，滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
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