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bics flash 文章 進(jìn)入bics flash技術(shù)社區
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(cháng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結構的改善，而隨著(zhù)蘋(píng)果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
提高M(jìn)SP430G 系列單片機的Flash 擦寫(xiě)壽命方法
- 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應用中，這種應用方式并不能夠滿(mǎn)足所有客戶(hù)的需求。本應
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類(lèi)型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開(kāi)發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì )改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無(wú)法預知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開(kāi)發(fā)工具和設計服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線(xiàn)仿真 開(kāi)發(fā)系統 Flash SRAM 由于市場(chǎng)對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，Flash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩健增長(cháng)
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩健增長(cháng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數據中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規模將提升至266億美元，年增長(cháng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長(cháng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(cháng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢觀(guān)察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于A(yíng)RM7軟中斷程序的設計
- 摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線(xiàn)，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數從10pin至80pin。豐富的資源為客戶(hù)的方案設計提供了多樣選擇。 專(zhuān)注于專(zhuān)用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專(zhuān)用向通用MCU升級的開(kāi)端 MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專(zhuān)用兩類(lèi)。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設備中，常見(jiàn)的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線(xiàn)的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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