arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區

報告稱(chēng)：07年全球集成電路出貨量將增長(cháng)10%

　　10月21日消息，據外電報道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(cháng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(cháng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長(cháng)，如DRAM內存出貨量增長(cháng)49%，NAND閃存出貨量增長(cháng)38%，接口集成電路出貨量增長(cháng)60%，數據轉換集成電路出貨量增長(cháng)58%，汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(cháng)32%。　　ICInsights稱(chēng)，如果2007年全球集成電路出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高，這將是連續第六年的兩位增長(cháng)
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DRAM現貨市場(chǎng)持續走弱合約市場(chǎng)交易冷清

　　現貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價(jià)格緩步盤(pán)堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現貨市場(chǎng)供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價(jià)格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。　　十月份合約市場(chǎng)相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠(chǎng)商甚至認為，倘若預期十一
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NAND閃存價(jià)格反彈帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(cháng)

根據半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SIA報告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(cháng)超過(guò)分析師預測，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(cháng)4.5%。 SIA表示，增長(cháng)歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(cháng)19%，與2006年8月相比增長(cháng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長(cháng)帶來(lái)全球半導體銷(xiāo)售連續健
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LPC2104的Boot與Remap詳解（一）－－－（原創(chuàng )）

開(kāi)場(chǎng)白最近在學(xué)習ARM的過(guò)程中，遇到了一些以前在8位機、16位機應用中所沒(méi)有見(jiàn)過(guò)的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)。其中，比較困擾和麻煩的兩個(gè)名詞術(shù)語(yǔ)就是“Boot”與“Remap”。同時(shí)，在網(wǎng)上也經(jīng)常見(jiàn)到有網(wǎng)友就這兩個(gè)技術(shù)名詞提出疑問(wèn)。好在當今網(wǎng)絡(luò )是如此發(fā)達，使得我們可以很快就得到許多老師和老鳥(niǎo)的解答。經(jīng)過(guò)這一段時(shí)間的閱讀與實(shí)踐，算是將這個(gè)概念基本給理出了個(gè)頭緒，借此機會(huì )，以自己的理解總結一下，貼到BBS上來(lái)，與廣大網(wǎng)友們分享，如有不當之處，板磚且慢，因為我貼此文的目的是拋“磚”引“玉
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NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載利潤大漲

Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預計之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

　　摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引言　　大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。　　根據內存市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據悉，被起訴的24家廠(chǎng)商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時(shí)序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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三星產(chǎn)能轉向NAND閃存公司市場(chǎng)份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長(cháng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長(cháng)11%，出貨量增加歸功于擴大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì )發(fā)布新2.0多媒體標準

致力于簡(jiǎn)化系統級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì )近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過(guò)審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿(mǎn)足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì )于2004年由Spansion和ARM創(chuàng )建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠(chǎng)商提供的開(kāi)發(fā)平臺上測試多種存
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三星調高閃存價(jià)格帶動(dòng)內存價(jià)格上升

　在三星向外界透露位于韓國的工廠(chǎng)于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠(chǎng)商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升。　　業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠(chǎng)停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價(jià)。　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

　NAND Flash供需出現進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠(chǎng)之Samsung工廠(chǎng)3日發(fā)生停電事故，導致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠(chǎng)商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。　　Samsung之京畿道器興市主力工廠(chǎng)3日發(fā)生大規模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線(xiàn)全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫存量，9月份實(shí)際供給
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NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展新芯片工藝是轉折點(diǎn)

據閃存技術(shù)的最大支持者之一稱(chēng)，閃存將“接管”整個(gè)世界。　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì )”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤(pán)失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤(pán)構成了威脅。　　他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì )出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場(chǎng)上還將出現更多的閃存筆記本電腦。　　在未來(lái)的5-7年內，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲存儲卡小廠(chǎng)幾乎倒一半

2007年NAND Flash價(jià)格走勢戲劇化，但對下游廠(chǎng)商而言，可謂是幾家歡樂(lè )幾家愁，一線(xiàn)快閃記憶卡大廠(chǎng)樂(lè )得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(cháng)達1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線(xiàn)記憶卡廠(chǎng)而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠(chǎng)的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠(chǎng)供給一夕大減，連一線(xiàn)大廠(chǎng)都不見(jiàn)得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠(chǎng)正式出局！　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋(píng)果(Ap
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