三大變化為日本半導體設備產(chǎn)業(yè)增添活力

　　日媒稱(chēng)，日本半導體制造裝置協(xié)會(huì )日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(cháng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(cháng)率首次超過(guò)30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。

　　據外媒報道，“采購設備的時(shí)間提前了”，東電電子社長(cháng)河合利樹(shù)無(wú)法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。

　　8月，半導體設備的訂單出貨比(B/B值，訂單金額除以出貨金額)為1.18，連續9個(gè)月高于榮枯線(xiàn)1。產(chǎn)品剛賣(mài)出去就有更多新訂單進(jìn)來(lái)，這樣的狀態(tài)一直持續。

　　報道稱(chēng)，產(chǎn)生這種狀況的原因之一是中國，例如中國紫光集團將新建一家大型存儲器工廠(chǎng)。預計從現在到2020年的五年期間，總投資額將達到5萬(wàn)億日元(約合人民幣3320億元)，是過(guò)去5年的2倍以上。中國政府將半導體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè)，同時(shí)也在積極推動(dòng)外資廠(chǎng)商投資。

　　原因之二是半導體電路的微細化。在尖端領(lǐng)域，正迎來(lái)電路線(xiàn)寬由10多納米到7至10納米的過(guò)渡期。能一次性將細微電路寫(xiě)入硅片的EUV光刻(極紫外光刻)技術(shù)還有待發(fā)展，目前通過(guò)反復操作來(lái)制成細微電路，成膜設備和腐蝕設備也在增加。

　　原因之三則是半導體電路的立體化。服務(wù)器等使用的存儲設備方面，現在已經(jīng)開(kāi)始采用3D垂直堆疊NAND存儲設備。與傳統的平面存儲設備相比，這種立體設備能增加單位大小芯片的存儲量。韓國三星電子、美國微軟、日本東芝均在增加生產(chǎn)設備。

　　這3大變化有可能拉大設備制造企業(yè)之間的差距。半導體微細化和立體化對設備的技術(shù)要求有所提高。有分析認為，技術(shù)將成為半導體設備制造商們勝負的決定因素。中國半導體制造商的動(dòng)向存在諸多不透明的地方。某外資廠(chǎng)商的日本法人社長(cháng)認為“在中國的信息收集能力決定著(zhù)訂貨量的多少”。