東芝存儲器株式會(huì )社宣布推出96層3D閃存

　　存儲器解決方案全球領(lǐng)導者東芝存儲器株式會(huì )社今日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出采用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產(chǎn)品采用三位元(三階存儲單元，TLC)技術(shù)。該96層新產(chǎn)品為256千兆比特(32GB)設備，其樣品預計將于2017年下半年發(fā)布，批量生產(chǎn)計劃于2018年啟動(dòng)。該新產(chǎn)品滿(mǎn)足企業(yè)級和消費級SSD、智能手機、平板電腦和存儲卡等應用的市場(chǎng)需求和性能規范。

　　未來(lái)，東芝存儲器株式會(huì )社將在不久的將來(lái)在其512千兆比特(64GB)等較大容量產(chǎn)品中應用其新的96層工藝技術(shù)和4位元(四階存儲單元，QLC)技術(shù)。

　　創(chuàng )新的96層層疊工藝結合了先進(jìn)的電路和制造工藝技術(shù)，與64層層疊工藝相比，其每單元芯片尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價(jià)格并提高了每個(gè)硅晶片存儲容量的可制造性。

　　S自2007年宣布推出全球首款[2]3D閃存技術(shù)原型以來(lái)，東芝存儲器株式會(huì )社不斷推動(dòng)3D閃存的發(fā)展并積極推廣BiCS FLASH?技術(shù)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對更小裸芯片面積 、更大容量閃存的需求。

　　該96層BiCS FLASH?將在四日市生產(chǎn)基地5號晶圓廠(chǎng)(Fab 5)、2號新晶圓廠(chǎng)(Fab 2)和將于2018夏季開(kāi)業(yè)的6號晶圓廠(chǎng)(Fab 6)生產(chǎn)。

　　注：

　　1. 一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上)，其極大地提高了密度。

　　2. 數據來(lái)源：東芝存儲器株式會(huì )社，截至2007年6月12日。

　　* 本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能均為其各自公司的商標。