EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
tlc
tlc 文章 進(jìn)入tlc技術(shù)社區
美光：3D TLC最快今年底實(shí)現
- 對于消費市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，成本永遠都是令購買(mǎi)者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當然也必須面對這樣的市場(chǎng)聲浪。TCL NAND目前已經(jīng)是SSD降低成本的重要關(guān)鍵，當然，如何能讓TLC架構在維持低成本的同時(shí)，還能兼具效能與穩定性，也成為了相關(guān)廠(chǎng)商正積極競逐的目標。 美光科技(Micron)儲存事業(yè)部行銷(xiāo)總監Kevin Kilbuck指出，因應消費市場(chǎng)的需求，美光也針對高性能、高可靠性，且極注重成本的消費性應用，提供了量身訂制的解決方案。全新的快閃記憶體產(chǎn)品，是采用16nm制程技術(shù)的TLC NAND，能讓U
- 關(guān)鍵字： 美光 TLC
Marvell：控制器三大優(yōu)勢 讓TLC架構逼近MLC效能
- 傳統的HDD機械式硬碟，由于機械式結構的復雜結構造成整體的不穩定性，加上讀寫(xiě)速度始終存在著(zhù)瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機會(huì )加速淘汰傳統HDD硬碟，在更多領(lǐng)域發(fā)揮快速讀寫(xiě)、穩定存取的優(yōu)勢。 Marvell的DRAMless架構，讓SSD可以達到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。 Marvell SSD事業(yè)群副總裁David Chen指出，比起SSD，傳統硬碟唯一的優(yōu)勢，只在于容量。然而一旦針對穩定性與速度的話(huà)，傳統硬碟一點(diǎn)勝算都沒(méi)有。而目前隨著(zhù)新一代的T
- 關(guān)鍵字： Marvell TLC
SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘
- 現在每一個(gè)閃存廠(chǎng)家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì )3D Nand Technical Workshop，Intel的技術(shù)人員在會(huì )議上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術(shù)上的細節。 這場(chǎng)會(huì )議在深圳JW萬(wàn)豪酒店舉行，參與會(huì )議的有相當多的業(yè)內朋友。來(lái)自Intel美國的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers，NAND產(chǎn)品交易開(kāi)發(fā)工程師Tod
- 關(guān)鍵字： SSD TLC
TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著(zhù) TLC 產(chǎn)品的主流應用開(kāi)始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過(guò)去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
- 關(guān)鍵字： TLC NAND
性?xún)r(jià)比優(yōu)勢更明顯 TLC NAND應用版圖急擴張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性?xún)r(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。 三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長(cháng)。 在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
- 關(guān)鍵字： 三星 TLC NAND
TLC存儲器取得儲存市場(chǎng)成長(cháng)動(dòng)能
- 三級單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶(hù)端市場(chǎng)兩年后，預計將進(jìn)一步在資料中心獲得動(dòng)能。但長(cháng)期來(lái)看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統的 NAND 記憶體成長(cháng)開(kāi)始趨緩。 截至目前為止，TLC主要用于 USB 驅動(dòng)器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機與客戶(hù)端固態(tài)固碟(SSD);不過(guò)，市調公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場(chǎng)上目前已經(jīng)看到 iPhone 6 開(kāi)始采用了，預計它將在2015-2016年進(jìn)一步滲透到高階智慧型手機與
- 關(guān)鍵字： TLC 存儲器 Gartner
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著(zhù)工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會(huì ))上就公布了其最新的可變電阻式存儲
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問(wèn)題
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴散，帶動(dòng)儲存容量擴大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。 據ET News報導，SSD將形成半導體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當明顯。外電引用市調機構IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 南韓業(yè)界認為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。 南韓Woor
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC
蘋(píng)果停用TLC閃存 回應iPhone 6宕機
- 11月9日，隨著(zhù)關(guān)于iPhone6+功能缺陷的爭論高漲，蘋(píng)果已決定停止使用TLC NAND閃存技術(shù)。 據業(yè)內人士11月6日透露，蘋(píng)果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。蘋(píng)果認為，困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣于TLC NAND閃存控制芯片中的一個(gè)問(wèn)題。這種控制芯片據稱(chēng)是由SSD制造商Anobit制造的，該公司在2011年被蘋(píng)果收購。 TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲器的一種。它的數據存儲量是SLC存儲器的三倍，是MLC存儲器的1.5倍。最重要的
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 iPhone 6 TLC
探索TLC閃存壽命：區區1000次擦寫(xiě)循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。 遺憾的是，沒(méi)有任何廠(chǎng)商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫(xiě)循環(huán)(P/E)次數大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì )告訴你具體的閃存寫(xiě)入量，再加上寫(xiě)入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫(xiě)入了多少數據。 不過(guò)還是有個(gè)變通方法
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 TLC NAND
tlc介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條tlc!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對tlc的理解，并與今后在此搜索tlc的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對tlc的理解，并與今后在此搜索tlc的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
tlc資料下載
相關(guān)主題
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473