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3d dtof 文章 進(jìn)入3d dtof技術(shù)社區
3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠(chǎng)上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠(chǎng)施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠(chǎng)于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠(chǎng)，為三星史上最大單一產(chǎn)線(xiàn)投資項目。據三星表示，新廠(chǎng)第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠(chǎng)主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統硬盤(pán)，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。 市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠(chǎng)43億美元
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠(chǎng)，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠(chǎng)第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開(kāi)始在西安廠(chǎng)的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設備及人力費用。 三星目前只使用西安廠(chǎng)腹地約34萬(wàn)坪中的2
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英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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美光3D NAND創(chuàng )新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續讀取/寫(xiě)入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據稱(chēng)也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現有越來(lái)越多的電腦設備開(kāi)始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
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