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邏輯電路
邏輯電路 文章 進(jìn)入邏輯電路技術(shù)社區
Gartner：半導體產(chǎn)能擴充持續到2012
- Gartner預期2010年全球半導體的固定資產(chǎn)投資有大幅增加。 在它的Q2季度半導體產(chǎn)能報告中，Gartner預計全球半導體產(chǎn)能與去年相比增長(cháng)5%-6%，這是由于PC及手機的出貨量增長(cháng)有關(guān)。 根據Q1的全球半導體產(chǎn)能報告，Gartner近期作了更新，將2009年產(chǎn)能原先下降2.3%，修正到下降1.9%，及2010年增長(cháng)5%修正到6%，而2011年由增長(cháng)9%，有小幅減緩，修正為8%，以及2012年仍維持8%的穩定增長(cháng)。之所以如此，與Gartner的最新半導體投資報告，今年將增長(cháng)83.5%以
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聯(lián)電65奈米以下比重大躍進(jìn) 2Q將達25%
- 聯(lián)電在先進(jìn)制程有所進(jìn)展!聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)也將于2010年底達到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶(hù)合作進(jìn)行規畫(huà)。孫世偉看好65奈米以下先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展，估計第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進(jìn)一步躍升到30~40%。 聯(lián)電第1季65奈米以下制程技術(shù)比重約18%，較2009年第4季上升1個(gè)百分點(diǎn)。預期第2季可望顯著(zhù)攀高，將逼近25%。聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉預期，下半年65奈米以下制程技術(shù)比重可望進(jìn)一步達30~
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聯(lián)電為提高先進(jìn)制程購買(mǎi)設備
- 編者點(diǎn)評：Globalfoundries的崛起打亂了全球代工被雙雄獨霸的局面。實(shí)際上Globalfoundries兼并特許之后, 按Gartner4月的最新數據,09年全球代工排名中, 臺積電90億美元, 聯(lián)電居第二為27億, 特許的15億及Globalfoundries的11億美元, 所以新Globalfoundries總營(yíng)收(把特許的計在內)己達26億美元 , 十分逼近聯(lián)電的27億美元。因此首先反映強烈的肯定是聯(lián)電, 所以其加強投資及擴大先進(jìn)制程的市場(chǎng)份額是必為。然而分析Globalfoundri
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保守看待2010增長(cháng)，部分領(lǐng)域將表現優(yōu)異
- 電子產(chǎn)業(yè)觀(guān)察家葉鐘靈從另一個(gè)角度總結了產(chǎn)業(yè)變化，半導體產(chǎn)業(yè)的三大支柱即邏輯電路、微芯片和存儲器在2009年表現迥異，邏輯電路市場(chǎng)停滯不前，市場(chǎng)規模短期內也很難看到增長(cháng)的趨勢;微芯片隨著(zhù)電子產(chǎn)品普及化還會(huì )有所增長(cháng)，但增長(cháng)速度一般;而存儲器由于07年開(kāi)始就全面近乎崩潰的下滑，反而讓其在2009年下降最少，2010年則面臨最為強勢的反彈預期，其中NAND Flash和DDR3市場(chǎng)預期最為樂(lè )觀(guān)。 葉鐘靈 目前隨著(zhù)半導體的工藝近乎探底，電子產(chǎn)業(yè)展開(kāi)了后硅時(shí)代(Post Silicon)的發(fā)展探討
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2010請帶著(zhù)希望上路
- 對于整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，2009是個(gè)幸福缺失的年份，不管我們如何痛恨這一場(chǎng)金融風(fēng)暴帶來(lái)的腥風(fēng)血雨，至少我們已經(jīng)撕去了屬于2009年最后一頁(yè)日歷，迎來(lái)了嶄新年輪的開(kāi)始。既然最黑暗的時(shí)刻都已經(jīng)挺過(guò)來(lái)了，未來(lái)總會(huì )比現在光明些吧。 從2008年四季度開(kāi)始的這場(chǎng)金融風(fēng)暴，在重創(chuàng )了全球經(jīng)濟的同時(shí)，不可避免地將整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平拉回了2001年。經(jīng)歷過(guò)2008年的全行業(yè)深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀(guān)中到來(lái)的2009堪稱(chēng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)驚心動(dòng)魄的一年，多家分析機構不斷下調對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預期，最可怕的數據預測整
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中國芯片產(chǎn)業(yè)日趨成熟
- 近期受全球金融危機影響半導體產(chǎn)能下降，依據SEMI的報道，09年全球將關(guān)閉30條芯片生產(chǎn)線(xiàn)，其中8條邏輯電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)及7條存儲器生產(chǎn)線(xiàn)，另外6條分立器件與6條模擬電路生產(chǎn)線(xiàn)。 被關(guān)閉的生產(chǎn)線(xiàn)中主流為8英寸及更小尺寸，有些是4英寸及5英寸。其中09年關(guān)閉的有17條在北美。 由于芯片生產(chǎn)線(xiàn)關(guān)閉，導致09年全球半導體產(chǎn)能下降3%，為每月1500萬(wàn)片(等效8英寸計)，而于2010 年時(shí)由于某些生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始恢復擴大產(chǎn)能，全球芯片產(chǎn)能有望再回升到每月1600萬(wàn)片，SEMI同時(shí)認為在2010年時(shí)將再關(guān)閉
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東芝提出16nm制程工藝
- 對于電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，制程的提升意味著(zhù)性能、體積和功耗同時(shí)變得更好，所以很多半導體廠(chǎng)商都在制程提升上做出很多努力。近日，東芝提出了16nm制程工藝的方法。 目前大多數存儲芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們在制程提升上取得了突破，他們已經(jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場(chǎng)效應管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現在流行的硅，鍺一直以來(lái)都被認為有潛力制造更小的設備，但是它也比硅存在更多的問(wèn)題，難于控制。但是現在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡，所以人們再一次將目光轉向了鍺。
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2009年晶圓廠(chǎng)資本支出減少56% 回暖信號已現
- 根據SEMI World Fab Forecast的最新預測，晶圓廠(chǎng)建設支出自2008年來(lái)持續呈現季度負增長(cháng)，2009年預計同比減少56%。從全球來(lái)看，建設支出達到10年來(lái)最低點(diǎn)。然而，該報告的最新數據顯示，2009年下半年晶圓廠(chǎng)建設支出和設備支出將恢復增長(cháng)，并將持續至2010年。2010年，晶圓廠(chǎng)建設支出預計成倍增長(cháng)，設備支出也可能增長(cháng)多達90%。 實(shí)際上美國資本投入正在增長(cháng)，季度支出額正在朝10億美元邁進(jìn)，主要因為Intel宣布了投資計劃，準備轉入32nm制程。 根據報告，2008年關(guān)
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晶圓業(yè)帶動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- SEMI近期發(fā)布WorldFabForecast報告，報告顯示2008年半導體設備支出將減少20%，而2009年將獲得超過(guò)20%的反彈，主要受全球70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項目的帶動(dòng)。該報告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠(chǎng)組建項目，2009年還有21個(gè)晶圓廠(chǎng)建設項目。 2008年，300mm晶圓廠(chǎng)項目占了晶圓廠(chǎng)設備支出的90%，約69%的支出用于65nm及以下節點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能預計相當于1，600萬(wàn)片200mm晶圓，年增長(cháng)率僅9%，2007年增長(cháng)率達16%.2009年，總產(chǎn)能預計增長(cháng)1
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2009年70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項目將促進(jìn)設備支出超20％的反彈
- 根據SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導體設備支出將減少20％，而2009年將獲得超過(guò)20％的反彈，主要受全球70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項目的帶動(dòng)。該報告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠(chǎng)組建項目，2009年還有21個(gè)晶圓廠(chǎng)建設項目。 2008年，300mm晶圓廠(chǎng)項目占了晶圓廠(chǎng)設備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能預計相當于1600萬(wàn)片200mm晶圓，年增長(cháng)率僅9％，2007年增長(cháng)率達16％。2009年，總產(chǎn)能預
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國家1-2億元支持集成電路研發(fā)
- 日前獲悉，國家鼓勵軟件及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的18號文的替代政策《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專(zhuān)項資金管理暫行辦法》(下稱(chēng)132號文)的實(shí)施細則和今年項目指南已進(jìn)入財政部、信息產(chǎn)業(yè)部和發(fā)改委三部委會(huì )簽階段。相關(guān)人士向記者透露說(shuō)，如果順利通過(guò)三部委會(huì )簽，該實(shí)施細則和今年的項目指南將于8月份正式出臺。 據記者了解，132號文的項目指南將每年發(fā)布一次。今年的項目指南涵蓋面比較廣，包括計算機、通訊、汽車(chē)電子、安全、政府信息化、企業(yè)信息化等所用到的集成電路芯片的研發(fā)，另外對于制造工藝、封裝工藝、測試技術(shù)等也將撥出專(zhuān)
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集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專(zhuān)項規劃
- 集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎和核心，是國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展的戰略性產(chǎn)業(yè)，在推動(dòng)經(jīng)濟發(fā)展、社會(huì )進(jìn)步、提高人民生活水平以及保障國家安全等方面發(fā)揮著(zhù)重要作用，已成為當前國際競爭的焦點(diǎn)和衡量一個(gè)國家或地區現代化程度以及綜合國力的重要標志。 “十一五”期間，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，盡快建立一個(gè)自主創(chuàng )新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規模不斷擴大的產(chǎn)業(yè)體系，對于保障信息安全、經(jīng)濟安全，增強國防實(shí)力，以及推動(dòng)社會(huì )進(jìn)步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰略意義和現實(shí)意義。 按照《國民經(jīng)濟和社會(huì )發(fā)展第十一個(gè)五年規劃綱要》中“大
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同步RS觸發(fā)器
- 具有時(shí)鐘脈沖控制的觸發(fā)器稱(chēng)為同步觸發(fā)器，又稱(chēng)為鐘控觸發(fā)器，時(shí)鐘觸發(fā)器。這種觸發(fā)器只有在時(shí)鐘脈沖到來(lái)時(shí)，輸出端才根據這時(shí)的輸入信號改變狀態(tài)。 1.同步RS觸發(fā)器電路結構 圖1是同步RS觸發(fā)器的邏輯圖和邏輯符號。它是在基本RS觸發(fā)器(G1和G2)的基礎上，增加了由兩個(gè)與非門(mén)（G3和G4）組成的輸入門(mén)，和一個(gè)鐘控端CP構成。該電路有兩個(gè)輸出端和Q，還有五個(gè)輸入端。但應注意這五個(gè)輸入端的作用和輸入信號的極性。 ① 輸入端和 和端在CP=0時(shí)，可直接使觸發(fā)器
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邏輯電路介紹
以二進(jìn)制為原理、實(shí)現數字信號邏輯運算和操作的電路。分組合邏輯電路和時(shí)序邏輯電路。前者的邏輯功能與時(shí)間無(wú)關(guān)，即不具記憶和存儲功能，后者的操作按時(shí)間程序進(jìn)行。由于只分高、低電平，抗干擾力強，精度和保密性佳。廣泛應用于計算機、數字控制、通信、自動(dòng)化和儀表等方面。
最基本的有與電路 或電路 和非電路。
“邏輯電路”在漢英詞典中的解釋(a logical circuit
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