聯(lián)華電子文章進(jìn)入聯(lián)華電子技術(shù)社區

聯(lián)華電子55納米客戶(hù)芯片已出貨逾1500萬(wàn)顆

　　高分辨率智能手機適用的55納米顯示器驅動(dòng)芯片，制程良率達優(yōu)異水平　　聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅動(dòng)客戶(hù)芯片(SDDI)，現已出貨超過(guò)1500萬(wàn)顆?？蛻?hù)采用此制程于高分辨率的高階智能手機，此55納米eHV制程在聯(lián)華電子臺灣與新加坡的12寸晶圓廠(chǎng)內，現已達到極佳的良率表現。　　聯(lián)華電子12寸特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)處資深處長(cháng)許堯凱表示：「聯(lián)華電子于2012年底首次tape-out客戶(hù)55納米SDDI產(chǎn)品。身為全球晶圓專(zhuān)工特殊技術(shù)的領(lǐng)導者，我們在僅僅一年內即
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聯(lián)華電子55納米SDDI客戶(hù)芯片已出貨逾1500萬(wàn)顆

　　高分辨率智能手機適用的55納米顯示器驅動(dòng)芯片，制程良率達優(yōu)異水平　　聯(lián)華電子7日宣布，采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅動(dòng)客戶(hù)芯片(SDDI)，現已出貨超過(guò)1500萬(wàn)顆?？蛻?hù)采用此制程于高分辨率的高階智能手機，此55納米eHV制程在聯(lián)華電子臺灣與新加坡的12吋晶圓廠(chǎng)內，現已達到極佳的良率表現。　　聯(lián)華電子12吋特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)處資深處長(cháng)許堯凱表示：「聯(lián)華電子于2012年底首次tape-out客戶(hù)55納米SDDI產(chǎn)品。身為全球晶圓專(zhuān)工特殊技術(shù)的領(lǐng)導者，我們在僅僅一年內即
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聯(lián)華與SuVolta 宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

　　聯(lián)華電子的28納米 High-K/Metal Gate工藝運用SuVolta的 DDC技術(shù)指向移動(dòng)應用　　臺灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta
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聯(lián)華28納米節點(diǎn)采用Cadence物理和電學(xué)制造性設計簽收解決方案

全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司(NASDAQ:CDNS)日前宣布，歷經(jīng)廣泛的基準測試后，半導體制造商聯(lián)華電子(NYSE：UMC;TWSE：2303)(UMC)已采用Cadence? “設計內”和“簽收”可制造性設計(DFM)流程對28納米設計進(jìn)行物理簽收和電學(xué)變量?jì)?yōu)化。
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聯(lián)華電子公布2013 年第一季財務(wù)報告

　　預期第二季晶圓齣貨季成長(cháng)雙位數，40nm營(yíng)收到達二成　　聯(lián)華電子股份有限公司8日公佈首次以TIFRSs為編製基礎之2013年第一季財務(wù)報告，營(yíng)業(yè)收入為新檯幣277.8億元。本季毛利率為16.2%?營(yíng)業(yè)凈利率為1.1%?歸屬母公司凈利為新檯幣65.9億元，每股普通股穫利為新檯幣0.52元。　　聯(lián)華電子執行長(cháng)顏博文表示，“2013年第一季整體營(yíng)運表現優(yōu)於預期，其中晶圓代工業(yè)務(wù)的營(yíng)業(yè)收入為新檯幣263.7億元，營(yíng)業(yè)凈利率為4.1%?約當八吋晶圓齣貨量112.5萬(wàn)片，產(chǎn)能利用率為78%?
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聯(lián)華電子與美商Spansion合作技術(shù)研發(fā)與授權協(xié)議

　　雙方將共同開(kāi)發(fā)整合邏輯與閃存技術(shù)，以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問(wèn)世　　聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導廠(chǎng)商Spansion 4日共同宣布，將展開(kāi)40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專(zhuān)屬授權協(xié)議包含了授權聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。　　Spansion嵌入式電荷擷取技術(shù)是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR閃存技術(shù)，且此項新技術(shù)可與先進(jìn)邏輯工藝相整
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智原與聯(lián)電合作產(chǎn)出40納米三億邏輯閘SoC

聯(lián)華電子與ASIC設計服務(wù)領(lǐng)導廠(chǎng)商智原科技共同宣布，雙方因應客戶(hù)需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-million gate count)系統單芯片解決方案。此款高復雜度SoC的產(chǎn)出，主要奠基于雙方豐富的設計、生產(chǎn)經(jīng)驗、先進(jìn)的工藝技術(shù)，以及長(cháng)期合作默契。同時(shí)，此合作過(guò)程與產(chǎn)出，也為客戶(hù)大幅地降低了開(kāi)發(fā)風(fēng)險、減少其需要投入的龐大人力、物力等設計資源，并縮短其產(chǎn)品上市時(shí)間。
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聯(lián)華電子推出TPC電鍍厚銅工藝服務(wù)

聯(lián)華電子日宣布，針對電源管理芯片應用產(chǎn)品，推出了TPC電鍍厚銅工藝。此TPC電鍍厚銅解決方案系由聯(lián)華電子與臺灣封裝廠(chǎng)商頎邦科技(6147, TWO)共同開(kāi)發(fā)，跟傳統的鋁金屬層相比，可提供更厚的銅金屬層以達到更高的電流，更優(yōu)異的散熱效果，并且降低20%或以上的芯片阻抗，進(jìn)而提升電源管理芯片的效能。
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聯(lián)華電子通過(guò)經(jīng)濟部國貿局ICP 廠(chǎng)商認證

　　聯(lián)華電子26日宣布通過(guò)中國臺灣地區經(jīng)濟部國貿局『內部出口管控制度』認證(Internal Control Program，簡(jiǎn)稱(chēng) ICP)，成為合格之ICP廠(chǎng)商，將可申請叁年效期ICP輸出許可證，爾后列管貨品均可直接憑證報關(guān)出口，無(wú)須逐筆向貿易局或其授權機關(guān)申請輸出許可證。　　聯(lián)華電子廖木良副總表示︰「聯(lián)華電子能通過(guò)ICP嚴格的認證，顯示我們的出口管控制度，符合國際及政府出口管制規范。未來(lái)我們將得以簡(jiǎn)化繁復的高科技產(chǎn)品輸出許可行政作業(yè)，使出貨作業(yè)更加流暢、快速，并透過(guò)嚴謹的系統管理，將產(chǎn)品被誤用或違
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聯(lián)華完成晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)55納米SDDI 客戶(hù)產(chǎn)品設計方案

聯(lián)華電子日前(18日)宣布，客戶(hù)已采用聯(lián)華電子55納米小尺寸屏幕驅動(dòng)芯片(SDDI)工藝，順利 tape-out 晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)產(chǎn)品。在SDDI晶圓專(zhuān)工領(lǐng)域，聯(lián)華電子不管是出貨量或是技術(shù)，皆位居業(yè)界佼佼者地位，現推出可賦予尖端智能型手機Full-HD畫(huà)質(zhì)的55納米工藝，亦為領(lǐng)先業(yè)界提供客戶(hù)采用的第一家晶圓專(zhuān)工公司。
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聯(lián)華電子驗證晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)12V eFlash解決方案

聯(lián)華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)結合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動(dòng)高壓，以及存放算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
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聯(lián)華電子與美商Allegro建立晶圓專(zhuān)工伙伴關(guān)系

聯(lián)華電子與專(zhuān)長(cháng)開(kāi)發(fā)、制造與營(yíng)銷(xiāo)高效能半導體的美商Allegro Microsystems日前共同宣布，雙方建立策略性協(xié)議，Allegro公司將采用聯(lián)華電子的晶圓專(zhuān)工技術(shù)與制造服務(wù)。兩家公司將于今年稍晚，由Allegro的第四代0.6微米BCD(ABCD4)消費用規格產(chǎn)品線(xiàn)開(kāi)始制造合作。
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聯(lián)華與意法攜手開(kāi)發(fā)65納米BSI CMOS影像傳感器制程

聯(lián)華電子日前宣布，與意法半導體合作開(kāi)發(fā)65納米CMOS影像傳感器背面照度BSI技術(shù)。雙方先前已在聯(lián)華電子新加坡Fab 12i廠(chǎng)順利研發(fā)出意法半導體的前面照度式FSI制程，在之前成功經(jīng)驗的基礎上，此次合作將更進(jìn)一步擴展兩家公司的伙伴關(guān)系。
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聯(lián)華南科三、四期廠(chǎng)房獲美國LEED綠色建筑黃金級認證

聯(lián)華電子日前宣布，其位于臺南科學(xué)園區Fab 12A廠(chǎng)第三、四期新建廠(chǎng)房已通過(guò)美國綠色建筑協(xié)會(huì )(U.S. Green Building Council, USGBC)綠色建筑評估系統審查，獲得“前瞻能源與環(huán)境設計 – 新建工程類(lèi)” (Leadership in Energy and Environmental Design – New Construction, LEED-NC)的黃金級認證。
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聯(lián)華電子12英寸紀元大幅提升28nm產(chǎn)能

　　聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠(chǎng)Fab12A第五、第六期廠(chǎng)房動(dòng)土典禮。此次擴建將開(kāi)啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩固基石，除滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)制程的需求外，更將推動(dòng)聯(lián)華電子邁入下一波成長(cháng)。　　聯(lián)華電子董事長(cháng)洪嘉聰表示，“我們樂(lè )觀(guān)看待半導體與晶圓專(zhuān)工產(chǎn)業(yè)的長(cháng)期發(fā)展，為因應產(chǎn)業(yè)環(huán)境快速變化與掌握市場(chǎng)先機，我們訂定以客戶(hù)導向晶圓專(zhuān)工解決方案做為經(jīng)營(yíng)策略，此一策略系由純晶圓專(zhuān)工模式與開(kāi)放的供應鏈生態(tài)系統所組成。在此經(jīng)營(yíng)模式下，我們依據客戶(hù)需求與所
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