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格芯面向IoT和汽車(chē)應用推出業(yè)界首款基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM
- 通過(guò)在ECC-off模式下的較大工作溫度范圍（-40至125℃）內實(shí)現封裝級產(chǎn)品功能和可靠性，我們展示了適用于工業(yè)級MCU和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用且可用于生產(chǎn)的22nm FD-SOI嵌入式MRAM (eMRAM)產(chǎn)品。我們對磁隧道結(MTJ)堆疊、集成和蝕刻工藝進(jìn)行了優(yōu)化，使其符合400℃ BEOL和HPD2后退火工藝要求，并實(shí)現MTJ性能，從而滿(mǎn)足所有產(chǎn)品要求。從封裝級數據可以確認，eMRAM產(chǎn)品通過(guò)了標準可靠性測試，如LTOL（168小時(shí)）、HTOL（500小時(shí)）、1個(gè)月周期耐久性測試以及5次焊料回流測
- 關(guān)鍵字： 半導體制造 eFlash
聯(lián)華電子採用晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)0.11微米eFlash製程，量產(chǎn)觸控IC
- 聯(lián)華電子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量產(chǎn)觸控IC應用產(chǎn)品。此特殊技術(shù)最初于2012年底于聯(lián)華電子推出，是為晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)結合12V與純鋁后段(BEoL)製程，以因應次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用于各尺寸觸控螢幕產(chǎn)品的微控制器時(shí)，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，并可達到更高效能。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處資深處長(cháng)黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作介面。聯(lián)華電子觸控平臺解決方案其
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瑞薩電子開(kāi)發(fā)28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)
- 瑞薩電子(Renesas Electronics)已開(kāi)發(fā)全新快閃記憶體技術(shù)，可達到更快的讀取與覆寫(xiě)速度。這項新的技術(shù)是針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。 為因應近來(lái)的環(huán)境議題，世界各國對于汽車(chē)性能的法規(CO2排放、燃油效率及廢氣)皆日趨嚴格。因此，傳動(dòng)系統必須支援新的引擎控制方法。此外，先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)現在希望能創(chuàng )造安全、防護及舒適的汽車(chē)體驗。為因應上述市場(chǎng)需求，汽車(chē)MCU必須進(jìn)一步提升效能，甚至進(jìn)一步降低
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 eFlash
智原發(fā)表完整硅智財，擴展聯(lián)華電子55納米eFlash制程平臺解決方案
- 聯(lián)華電子與ASIC設計服務(wù)領(lǐng)導廠(chǎng)商智原科技今日(12日)共同發(fā)表，在聯(lián)電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎硅智財組件庫(cell library)、內存編譯程序(memory compiler)，以及關(guān)鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時(shí)滿(mǎn)足市場(chǎng)對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應用。 對于需要長(cháng)時(shí)間待機的電子裝置，
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聯(lián)華電子驗證晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)12V eFlash解決方案
- 聯(lián)華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專(zhuān)工業(yè)界第一個(gè)結合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動(dòng)高壓，以及存放算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 晶圓 eFlash
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