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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
SiFive宣布推出全新高性能RISC-V數據中心處理器，適用于高強度的AI工作負載
- 代表RISC-V計算領(lǐng)域黃金標準的SiFive, Inc.宣布推出全新SiFive Performance P870-D數據中心處理器，以滿(mǎn)足客戶(hù)對高度并行的基礎設施工作負載（包括視頻流、存儲和網(wǎng)絡(luò )設備）的需求。通過(guò)與SiFive Intelligence系列中的產(chǎn)品相結合，數據中心架構師還可以構建一個(gè)極高性能、節能的計算子系統並用于A(yíng)I驅動(dòng)的應用程序。P870-D以P870的成功經(jīng)驗為基礎，支持開(kāi)放的AMBA CHI協(xié)議，讓客戶(hù)在擴展集群數量時(shí)擁有更大的靈活性。這種可擴展性允許客戶(hù)在提高性能的同時(shí)最大限
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消息稱(chēng)三星電子確認平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠(chǎng)建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)的投資計劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標明年 6 月投入運營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
存儲亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破
- 人工智能（AI）市場(chǎng)持續火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會(huì )議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢(xún)四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì )現場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì )中發(fā)布了 NVMe 2.1 規范，進(jìn)一步統一存儲架構、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng )建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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RISC與CISC
- CISC（復雜指令集計算）和RISC（精簡(jiǎn)指令集計算）是兩種不同的計算機指令集架構。CISC（Complex Instruction Set Computing）復雜指令集：CISC架構設計了大量的復雜指令，每條指令可以完成較為復雜的操作。較少的指令數：因為每條指令可以完成較多的操作，所以總體的指令數較少。內存使用效率高：由于指令的復雜性，單個(gè)指令可以在較少的時(shí)鐘周期內完成任務(wù)，從而減少內存帶寬的占用。硬件實(shí)現復雜：實(shí)現這些復雜指令需要更復雜的硬件邏輯。常見(jiàn)應用：早期的計算機和一些特定應用中使用較多，如x
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計劃于 2025 上半年實(shí)現量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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長(cháng)江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專(zhuān)利
- IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長(cháng)江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長(cháng)江存儲的 11 項專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(cháng)江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷(xiāo)售侵權的存儲產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費。長(cháng)江存儲指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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openKylin 成功在 RISC-V 平臺運行微信、WPS 等 X86 架構軟件
- IT之家 7 月 19 日消息，眾所周知，在新的指令集架構發(fā)展初期，往往采用兼容其他架構軟件的方法來(lái)拓展自身生態(tài)體系，如蘋(píng)果公司的 Rosetta 2 和微軟的 Arm64EC，都是將 X86 架構軟件運行在 ARM 架構的系統之上。RISC-V 作為一個(gè)新興的指令集架構，亟需軟件生態(tài)的快速發(fā)展與拓展。為此，openKylin（開(kāi)放麒麟）社區 RISC-V SIG 開(kāi)展了二進(jìn)制翻譯相關(guān)工作，參與開(kāi)源項目 box64 的研發(fā)。截至目前，已提交合并 20 余個(gè) PR，增加了 GTK3、nettle
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中國開(kāi)放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟廣東省珠海中心揭牌
- 據珠海高新區消息，7月17日，中國開(kāi)放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟（英文縮寫(xiě)為CRVA）廣東省珠海中心成立大會(huì )在珠海高新區舉辦。會(huì )上，CRVA廣東省珠海中心在珠海高新區揭牌成立。CRVA廣東省珠海中心是在中國開(kāi)放指令生態(tài)（RISC-V）聯(lián)盟的指導下，由珠海中科先進(jìn)技術(shù)研究院、珠海南方集成電路設計服務(wù)中心、中山大學(xué)微電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、北京師范大學(xué)珠海分校信息技術(shù)學(xué)院、北京理工大學(xué)珠海學(xué)院信息學(xué)院、進(jìn)迭時(shí)空（珠海）科技有限公司、珠海全志科技股份有限公司、極海微電子科技股份有限公司8家單位共同發(fā)起。珠海中科先
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限，無(wú)法再進(jìn)一步擴展。
- 關(guān)鍵字： NAND
2024 WAIC智能芯片及多模態(tài)大模型論壇
- 人工智能芯片研發(fā)及基礎算力平臺公司愛(ài)芯元智宣布，7月5日在2024世界人工智能大會(huì )上成功舉辦“芯領(lǐng)未來(lái)丨智能芯片及多模態(tài)大模型論壇”。論壇以“引領(lǐng)人工智能革新 造就普惠智能生活”為主題，匯聚了芯片、大模型、智能制造等領(lǐng)域的專(zhuān)家與意見(jiàn)領(lǐng)袖，共同分享大模型時(shí)代的創(chuàng )新機遇及落地成果。愛(ài)芯元智提出打造基于邊端智能的AI處理器的產(chǎn)品主張，并突出強調其“更經(jīng)濟、更高效、更環(huán)?！钡南冗M(jìn)優(yōu)勢。分論壇上，愛(ài)芯元智正式發(fā)布“愛(ài)芯通元AI處理器”，展示了智能芯片與大模型深度融合的技術(shù)應用與商業(yè)生態(tài)。云邊端加速一體化，更經(jīng)濟、更
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機？
- 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專(zhuān)為滿(mǎn)足企業(yè)用戶(hù)的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場(chǎng)將面臨的競爭相對較少，因
- 關(guān)鍵字： 三星 固態(tài)硬盤(pán) V-NAND
鎧俠產(chǎn)能滿(mǎn)載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng )板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線(xiàn)稼動(dòng)率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開(kāi)拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開(kāi)始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數據存儲元件，和現行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫(xiě)入數據時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 NAND Flash
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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