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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014
- 三菱電機今年以“創(chuàng )新功率器件構建可持續未來(lái)”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！ 〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動(dòng)汽車(chē)應用以及碳化硅器件應用?！ ≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅動(dòng)和太陽(yáng)能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門(mén)極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 PCIM 碳化硅
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng )新SiC MOSFET系列 繼續保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng )新SiC MOSFET器件設計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、焊接和醫療設備的解決方案?！ ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場(chǎng)增長(cháng)的良好條件，據市場(chǎng)研究機構Yole Développement預計，從201
- 關(guān)鍵字： 美高森美 MOSFET SiC
耐高溫半導體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛卡電子科技有限公司簽訂在華銷(xiāo)售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議，后者將會(huì )幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場(chǎng)大范圍推廣?！ ≈Z衛卡公司將其在碳化硅方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結合在一起，形成獨一無(wú)二的競爭力。例如：SiC 電源開(kāi)關(guān)專(zhuān)用的隔離式柵極驅動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節器?！ ISSOID公司營(yíng)銷(xiāo)拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
- 關(guān)鍵字： CISSOID 諾衛卡 SiC
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
通過(guò)基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導通電阻
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
新日本無(wú)線(xiàn)新推出粗銅線(xiàn)絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD
- 新日本無(wú)線(xiàn)的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線(xiàn)絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線(xiàn)有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專(zhuān)長(cháng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠實(shí)現高音質(zhì)音響效果。
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) SiC-SBD MUSES
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著(zhù)呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學(xué)會(huì )“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開(kāi)始擴大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對外銷(xiāo)售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
碳化硅（sic）介紹
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