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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設備的變頻驅動(dòng),開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂,世界首家實(shí)現了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作,并可與現在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

羅姆半導體: “四大戰略”迸發(fā)強勁動(dòng)力

  • 據羅姆中國營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來(lái)的50年,羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業(yè)戰略。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

采用碳化硅作為變頻器,節能潛力巨大

  • 編者語(yǔ):在現代工廠(chǎng)的機械設備中,電氣傳動(dòng)系統所耗費的電能占到了60%~70%,采用節能傳動(dòng)系統可以為機械設備降低...
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  變頻器  節能  

富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線(xiàn)

  •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長(cháng)野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線(xiàn),此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線(xiàn),未來(lái)預計在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。   
  • 關(guān)鍵字: 富士電機  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

  • 引言  隨著(zhù)現代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無(wú)線(xiàn)通信系統中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字: 設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設計  放大電路  

LED碳化硅襯底基礎概要

  • 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在...
  • 關(guān)鍵字: LED  碳化硅  

利用SiC大幅實(shí)現小型化 安川電機試制新型EV行駛系統

  • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(chē)(EV)行駛系統(圖1)。該系統由行駛馬達及馬達的驅動(dòng)部構成。通過(guò)...
  • 關(guān)鍵字: 安川電機  EV行駛系統  SiC  

市調公司Semico調整ASIC市場(chǎng)

  •   在由Xilinx主辦的會(huì )議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報告。Semico對于傳統的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(cháng)的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結等日益增長(cháng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?! ?/li>
  • 關(guān)鍵字: Xilinx  Semico  SIC  

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無(wú)需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。   獨具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

即將普及的碳化硅器件

  •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節能降耗已成潮流。在現代化生活中,人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題,電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據統計,60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的,而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片,連續波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續波輸出功率大于10W,帶內增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

SiC二極管逆變器投入應用,讓燃料電池車(chē)更輕

  •   日產(chǎn)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車(chē)逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車(chē)“X-TRAIL FCV”上,并開(kāi)始行駛實(shí)驗。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC,今后有望實(shí)現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動(dòng)汽車(chē)而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數左右,理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導通電阻小,因此可
  • 關(guān)鍵字: 二極管  SiC  汽車(chē)  逆變器  日產(chǎn)  

探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  •   人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人,可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù),它的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術(shù)、無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來(lái),在已有系統上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。   
  • 關(guān)鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

  • 上世紀60年代,開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世,使其逐步取代了線(xiàn)性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
  • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源,IGBT   碳化硅  AC/DC  
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碳化硅(sic)介紹

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