碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

碳化硅肖特基二極管在電源中的應用

功率因數校正（PFC）市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類(lèi)似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設備的諧波標準。由于北美沒(méi)有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類(lèi)產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應用的高效化與小型化

　　<概要>　　全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開(kāi)發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！　”井a(chǎn)品通過(guò)ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優(yōu)化，實(shí)現了600A額定電流，由此，在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí))，這非常有助于應
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)續航里程達到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng)，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng)，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節點(diǎn)，使用200毫米(和
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功率半導體：自主可控迫在眉睫產(chǎn)業(yè)地位穩步提升

　　與市場(chǎng)的不同的觀(guān)點(diǎn):傳統觀(guān)點(diǎn)認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語(yǔ),中泰電子認為隨著(zhù)新能源車(chē)和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長(cháng)期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規模小、技術(shù)落后、品類(lèi)不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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電源設計控必須了解的2017三大趨勢

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來(lái)e星球，與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng )新的源泉，無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現象。抓住了用戶(hù)需求，潛在的創(chuàng )新動(dòng)力才會(huì )被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng )新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng )新著(zhù)力點(diǎn)在哪?帶著(zhù)疑問(wèn)與期盼請來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國內外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢，
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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

　　2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設有展位(展位號：4100)，向與會(huì )觀(guān)眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來(lái)到現場(chǎng)還將有ROHM的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來(lái)?！　OHM展位信息　　"慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
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新型激光材料加工專(zhuān)利大幅提升SiC生產(chǎn)率

　　日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱(chēng)為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專(zhuān)利和正在申請專(zhuān)利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著(zhù)提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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第三代半導體技術(shù)、應用、市場(chǎng)全解析

第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著(zhù)半導體器件應用領(lǐng)域的不斷擴大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機涌現

　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
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