EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
功率半導體行業(yè)的春天
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著(zhù)全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(cháng)率達到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò )通信、汽車(chē)電子和電力設備六大領(lǐng)域。 IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導體
功率半導體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著(zhù)全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(cháng)率達到23.2%。 MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò )通信、汽車(chē)電子和電力設備六大領(lǐng)域。 IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。 全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿(mǎn)足當今市場(chǎng)對時(shí)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統中的適配器、負載和電池開(kāi)關(guān)。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開(kāi)啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
集成式解決方案提高功率調節器的效率
- 引言 通信電路板常常采用負載點(diǎn)(PoL)DC-DC轉換器來(lái)為數字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個(gè)48V的背板采用中間總線(xiàn)架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(diǎn)(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見(jiàn)圖1)。這種傳統方案包含一個(gè)分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅動(dòng)器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時(shí)間，故半導體供應商目前開(kāi)始轉而采用完全集成的調節器解決方案，以期縮短上市時(shí)間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
- 關(guān)鍵字： Fairchild 電源設計 MOSFET
英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬(wàn)歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營(yíng)收為 10億歐元，同比增長(cháng)55%。 第二財季凈利潤好于分析師預期，營(yíng)收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經(jīng)調整凈利潤7130萬(wàn)歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實(shí)現盈利，而在那之前10個(gè)季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 英飛凌上調了
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠實(shí)現超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實(shí)現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱(chēng)MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監兼產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶(hù)將從功
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 飛兆半導體
Maxim推出內置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護器
- Maxim推出內置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過(guò)載故障和/或輸出過(guò)壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標應用包括：蜂窩電話(huà)、MID (移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設備)、電子書(shū)及其它外掛配件的便攜設備。 MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠(chǎng)預置門(mén)限之間選擇，反向限流值設置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無(wú)鉛封裝，工作在-
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 過(guò)流保護器
NXP發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝全系列汽車(chē)功率MOSFET
- 恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無(wú)損耗的封裝)全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 隨著(zhù)對電子應用不斷增長(cháng)的消費需求，汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET LFPAK
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
碳化硅 mosfet電路
碳化硅 mosfet相關(guān)帖子
碳化硅 mosfet資料下載
碳化硅 mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473