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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專(zhuān)利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專(zhuān)利。 通過(guò)廣泛的半導體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。 作為半導體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線(xiàn)路和控制系統的核心開(kāi)關(guān)元器件，它的性能參數將直接決定著(zhù)電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關(guān)鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
安森美推出符合汽車(chē)標準的自保護低端MOSFET驅動(dòng)IC
- 安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應用。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過(guò)壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 安森美半導體汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 驅動(dòng)IC
利用低端柵極驅動(dòng)器IC進(jìn)行系統開(kāi)發(fā)
- 利用低端柵極驅動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據額定電流和功能來(lái)選擇適當的驅動(dòng)器，驅動(dòng)器周?chē)枰男┭a償元件，以及如何確定熱性能等是設計時(shí)要注意的方面。
- 關(guān)鍵字： Fairchild 轉換器 MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 柵極驅動(dòng)器 200912
能效需求催生功率器件應用熱潮
- 市場(chǎng)需求逐步恢復 ● 能效需求催生功率器件應用熱潮 ● 擴內需政策為企業(yè)提供增長(cháng)空間 陳坤和 從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專(zhuān)注、更贏(yíng)利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內容，許多企業(yè)開(kāi)始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場(chǎng)，中國市場(chǎng)需求增長(cháng)，推動(dòng)功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開(kāi)始復蘇。從長(cháng)期來(lái)看，功率半導體將與許多其他領(lǐng)域的半導體產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 功率器件 MOSFET
Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò )電話(huà) (VoIP) 通信設備的設計人員帶來(lái)一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設計，能滿(mǎn)足各種VoIP應用中基于用戶(hù)線(xiàn)接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開(kāi)關(guān)位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統、PBX系統、有線(xiàn)和DSL網(wǎng)關(guān)。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現自動(dòng)的均流達到平衡。同樣對于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì )發(fā)現，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類(lèi)繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開(kāi)關(guān)、電池開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
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