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意法半導體(st)
意法半導體(st) 文章 進(jìn)入意法半導體(st)技術(shù)社區
意法半導體推出即用型安全汽車(chē)進(jìn)入車(chē)載系統芯片解決方案，符合車(chē)聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟數字車(chē)鑰匙標準3.0版
- v 整合基于行業(yè)標準認證的 ST33K-A安全芯片的安全單元和Java? Card 平臺，以及 G+D Digital Key? 小程序，為開(kāi)發(fā)安全汽車(chē)進(jìn)入系統提供系統芯片解決方案v 提高用車(chē)便利性和安全性，符合車(chē)聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟 (CCC)最新的數字車(chē)鑰匙標準服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出一個(gè)能夠加快數字車(chē)鑰匙開(kāi)發(fā)的新平臺。有了數字鑰匙，消費者可以通過(guò)移動(dòng)設備，無(wú)需鑰匙也能進(jìn)入汽車(chē)。除了加強安全性
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兩款全新的eDesign Suite NFC/RFID計算器為開(kāi)發(fā)標簽和讀取器賦能
- 意法半導體在 eDesign Suite軟件套件中發(fā)布了兩款新的 NFC/RFID 計算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的設計輔助實(shí)用程序，可幫助您使用各種 ST 產(chǎn)品簡(jiǎn)化系統開(kāi)發(fā)流程。UHF Link Budget鏈路預算工具可幫助設計人員確定RFID 讀取器的通信距離。NFC Tuning Circuit 調諧電路讓工程師能夠優(yōu)化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 讀取器設計。這個(gè)兩個(gè)工具可以提高非接觸式應用開(kāi)發(fā)優(yōu)化工作的可及性，讓企業(yè)、學(xué)生和愛(ài)好者都能參與
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ST最新NFC讀取器加速支付與消費性應用設計
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫(xiě)器芯片輸出功率大、效能高，且價(jià)格具有競爭力，并支持NFC啟動(dòng)器、目標設備、讀寫(xiě)器和卡模擬四種模式，應用包括零接觸支付、裝置配對、無(wú)線(xiàn)充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費性應用。新裝置導引彈性更高的主動(dòng)波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調整過(guò)程，便于優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。
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意法半導體和Sensory 開(kāi)展合作，通過(guò)STM32Cube 軟件生態(tài)系統賦能大眾市場(chǎng)嵌入式聲控技術(shù)應用
- 務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語(yǔ)音識別技術(shù)供應商、意法半導體授權合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項合作協(xié)議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶(hù)社區為各種智能嵌入式產(chǎn)品開(kāi)發(fā)直觀(guān)的語(yǔ)音識別用戶(hù)界面及產(chǎn)品原型。該合作項目整合了意法半導體STM32軟硬件和Sensory的語(yǔ)音控制技術(shù)。其中新的VoiceHub 在線(xiàn)門(mén)戶(hù)支持使用自定義喚醒詞、語(yǔ)音控制命令集和大型自然語(yǔ)言語(yǔ)法
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Metalenz和意法半導體首創(chuàng )光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準消費電子設備
- 率先實(shí)現元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體( (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開(kāi)發(fā)的元鏡現已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場(chǎng)。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現有的結構復雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導體新NFC讀取器加快支付和消費應用設計
- 意法半導體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價(jià)格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設備、目標設備、讀取和卡模擬四種模式，目標應用包括非接支付、設備配對、無(wú)線(xiàn)充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費類(lèi)應用。新器件引入了靈活性更高的主動(dòng)波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調整過(guò)程，方便優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。射頻調整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗證。這項技術(shù)簡(jiǎn)化了EMVCo 3.1a和
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意法半導體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅動(dòng)器和GaN晶體管
- 瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅動(dòng)芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開(kāi)發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應用?！ ∫夥ò雽w（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單、電路組件更少、系統可靠性更高。據估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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巨頭搶灘第三代半導體
- 長(cháng)期以來(lái)，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠(chǎng)商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著(zhù)5G、新能源汽車(chē)等一系列技術(shù)迭代和市場(chǎng)需求推動(dòng)之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠(chǎng)計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠(chǎng)。雖然在目前階段來(lái)看，碳化硅的應用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績(jì)，意法半導體與MACOM將繼續合作，并加強雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來(lái)巨大的發(fā)展潛力。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
- 5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長(cháng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著(zhù)更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會(huì )更昂貴。目前，意法半導體和
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意法半導體和Leti合作開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術(shù)1
- 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結果，工藝技術(shù)將會(huì )從Leti的200mm研發(fā)線(xiàn)轉到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線(xiàn)，2020年前投入運營(yíng)中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能
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意法半導體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?
- 日前，意法半導體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體滿(mǎn)足高效能、高功率的應用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、無(wú)線(xiàn)充電和伺服器?！ ”竞献饔媱澲攸c(diǎn)是在200mm晶圓上開(kāi)發(fā)和驗證制造先進(jìn)硅基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場(chǎng)將在2024年前將保持超過(guò)20%的年復合成長(cháng)率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線(xiàn)上開(kāi)發(fā)制程技術(shù)，預計在2019年完成可供
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意法半導體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破
- 產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現進(jìn)入認證測試階段實(shí)現彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基氮化鎵
基于ST主動(dòng)鉗位反馳式控制器：ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數位智能充電器方案
- ST-ONE 簡(jiǎn)介ST-ONE 是一款具有二次側數位控制的離線(xiàn)數位控制器，專(zhuān)門(mén)用于采用包括 USB-PD 在內的智慧充電解決方案的主動(dòng)鉗位反馳式轉換器，獨特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數字電源控制，可實(shí)現極高的性能和功率密度，允許接口協(xié)議、電源控制算法和故障系統管理的演進(jìn)和定制。該器件在初級側包括一個(gè)主動(dòng)鉗位反激式控制器及其啟動(dòng)，在次級側包括一個(gè)微控制器以及控制轉換和通信所需的所有周邊設備。兩側通過(guò)嵌入式電氣隔離通信通道連接，出廠(chǎng)時(shí)已載入固件，該固件可處理
- 關(guān)鍵字： ST 主動(dòng)鉗位 反馳式控制器 ST-ONE MasterGaN2 充電器
意法半導體(st)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條意法半導體(st)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對意法半導體(st)的理解，并與今后在此搜索意法半導體(st)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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