爾必達“高明投資”方式應對DRAM需求增長(cháng)

　　日本爾必達存儲器正致力于通過(guò)小額設備投資實(shí)現大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設備投資額(800億日元)來(lái)應對。從40nm開(kāi)始采用的嵌入式字線(xiàn)(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計劃得以實(shí)現的關(guān)鍵。

　　嵌入式字線(xiàn)技術(shù)的特點(diǎn)是，無(wú)需大量使用實(shí)現微細化所必需的ArF液浸曝光裝置等。而且，2011財年將全面導入的30nm和部分導入的25nm將與40nm具有較高的工藝共通性。由此，只需少量設備投資額便可推進(jìn)微細化進(jìn)程。對此，爾必達在發(fā)布2011財年第四季度(2011年1月～3月)的結算時(shí)表示，“微細化至30nm和25nm所需要的設備投資額，僅為微細化至采用嵌入式字線(xiàn)技術(shù)之前的70nm的1/7”，“將臺灣瑞晶電子的量產(chǎn)線(xiàn)(300mm晶圓的處理能力超過(guò)8萬(wàn)枚/月)從30nm全部換成25nm，需要耗費250億日元左右”，“如果新建一條相同規模的量產(chǎn)線(xiàn)，需要花費2500億日元左右”。

　　這樣做的話(huà)，在晶圓處理能力為1萬(wàn)枚/月的條件下，針對30nm和25nm的微細化投資可以大幅壓縮至30億日元左右，而新設生產(chǎn)線(xiàn)則需要約300億日元，微細化至70nm需要200多億日元。另外，關(guān)于20nm以后的微細化，爾必達計劃采用三維構造，制成4F2(F為設計規則)單元的工藝技術(shù)。此時(shí)工藝技術(shù)會(huì )發(fā)生較大變化，存在更新生產(chǎn)設備、需要大量設備投資的可能性。關(guān)于這一點(diǎn)，爾必達表示“我們將動(dòng)腦筋盡可能控制設備投資額”。