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封裝技術(shù)
封裝技術(shù) 文章 進(jìn)入封裝技術(shù)技術(shù)社區
IC封測業(yè)新時(shí)代到來(lái)
- 近日，日月光研發(fā)中心的首席運行官何明東在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，隨著(zhù)許多新的封裝技術(shù)導入以滿(mǎn)足市場(chǎng)需要，日月光（ASE）相信全球IC封裝測試業(yè)的新時(shí)代已經(jīng)到來(lái)，各種IC封裝型式的呈現將更加促使產(chǎn)業(yè)間加強合作。 隨著(zhù)摩爾定律緩慢地于2014年向16納米工藝過(guò)渡，與之前5至10年相比較，由于終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)的需求，IC封裝的型式急劇增加，在過(guò)去的5年中己有4至5倍數量的增加，相信未來(lái)的5年將繼續增長(cháng)達10倍。隨著(zhù)IC封裝業(yè)的新時(shí)代到來(lái)肯定會(huì )給工業(yè)帶來(lái)巨大的商機。 2000年ASE認為倒裝技術(shù)（fl
- 關(guān)鍵字： IC 封測 倒裝芯片 封裝技術(shù) ASE
構建塊狀易于封裝的電源供電設計
- 基于iPOWIR的功率塊通過(guò)在單個(gè)BGA封裝中包含所有的功率場(chǎng)效應管、驅動(dòng)器和無(wú)源器件簡(jiǎn)化了這樣的設計。專(zhuān)用...
- 關(guān)鍵字： DC 場(chǎng)效應管 功率 封裝技術(shù) 供電設計 電源 PWM控制 電流場(chǎng) HEXFETTM iPOWIRTM
IR授權使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協(xié)議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問(wèn)題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(cháng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
- 關(guān)鍵字： DirectFET IR 電源技術(shù) 封裝技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
封裝技術(shù)介紹
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，我們實(shí)際看到的體積和外觀(guān)并不是真正的CPU內核的大小和面貌，而是CPU內核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
封裝對于芯片來(lái)說(shuō)是必須的，也是至關(guān)重要的。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮 [ 查看詳細 ]
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