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功率mosfet
功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區
儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
- 由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性?xún)r(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來(lái)更低的滿(mǎn)載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過(guò)顯著(zhù)減小電壓過(guò)沖來(lái)提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時(shí)也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長(cháng)使用壽命的設計。此外，隨著(zhù)額定溫度的
- 關(guān)鍵字： 儒卓力 英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
Vishay：創(chuàng )新才會(huì )吸引注重速度和安全的本土車(chē)企
- Vishay(威世)在“2016慕尼黑上海電子展”上展出了眾多創(chuàng )新成果，包括無(wú)源元件、二極管、功率MOSFET和光電子器件等，并特辟了汽車(chē)電子展示區，展出了高效和高可靠性汽車(chē)電子應用。汽車(chē)電子展區的三大亮點(diǎn) Vishay展示了3套特地從德國運來(lái)的與汽車(chē)電子相關(guān)的demo(演示)，分別是： ? 用于48V板網(wǎng)的馬達驅動(dòng)裝置(48V/150W)，特點(diǎn)是用于輕混動(dòng)力系統的電動(dòng)機驅動(dòng)裝置;功率可達10 kW。該裝置所有部分由Vishay獨立設計完成，可以提供馬達驅動(dòng)的電流、轉速等調整?！ ?，48V在歐
- 關(guān)鍵字： Vishay 無(wú)源元件 二極管 功率MOSFET 光電子器件 201605
Vishay在2013中國電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在6月20至22日成都世紀城新國際會(huì )展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會(huì )）上展出其全線(xiàn)技術(shù)方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新產(chǎn)品，包括無(wú)源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。 在2013中國電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? Gen IV MOSFET，提高效
- 關(guān)鍵字： 無(wú)源元件 二極管 功率MOSFET
UCC27321高速MOSFET驅動(dòng)芯片的功能與應用
- 1引言隨著(zhù)電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅動(dòng)芯片層出不窮，為驅動(dòng)電路的設計提供了更多的選擇和設計思...
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 柵極驅動(dòng) 解耦
深入理解功率MOSFET數據表
- 在汽車(chē)電子的驅動(dòng)負載的各種應用中,最常見(jiàn)的半導體元件就是功率MOSFET了。本文不準備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFE...
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET
功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗的研究
- 本文詳細分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著(zhù)氧化層O利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體S的場(chǎng)效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線(xiàn)性范圍，大多數用作開(kāi)關(guān)和驅動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]
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